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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IXTP3N50D2
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IXTP3N50D2

产品描述Power Field-Effect Transistor, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, PLASTIC PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小155KB，共5页
制造商IXYS
标准
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IXTP3N50D2在线购买

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IXTP3N50D2概述

Power Field-Effect Transistor, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, PLASTIC PACKAGE-3

IXTP3N50D2规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IXYS
零件包装代码TO-220AB
包装说明PLASTIC PACKAGE-3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
其他特性UL RECOGNIZED
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大漏源导通电阻1.5 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式DEPLETION MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)125 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

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