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5962R8754903VDA

产品描述Quadruple 2-Input Positive-NAND Gates 14-CFP -55 to 125
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小296KB,共12页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
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5962R8754903VDA概述

Quadruple 2-Input Positive-NAND Gates 14-CFP -55 to 125

5962R8754903VDA规格参数

参数名称属性值
Brand NameTexas Instruments
是否无铅不含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
包装说明DFP,
Reach Compliance Code_compli
系列AC
JESD-30 代码R-GDFP-F14
JESD-609代码e0
长度9.21 mm
负载电容(CL)50 pF
逻辑集成电路类型NAND GATE
最大I(ol)0.024 A
功能数量4
输入次数2
端子数量14
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码DFP
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
包装方法TUBE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大电源电流(ICC)0.04 mA
Prop。Delay @ Nom-Su8.5 ns
传播延迟(tpd)11 ns
认证状态Qualified
施密特触发器NO
筛选级别MIL-PRF-38535 Class V
座面最大高度2.03 mm
最大供电电压 (Vsup)6 V
最小供电电压 (Vsup)2 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式FLAT
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
总剂量50k Rad(Si) V
宽度5.97 mm

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描述 Quadruple 2-Input Positive-NAND Gates 14-CFP -55 to 125 Quadruple 2-Input Positive-NAND Gates 0-XCEPT -55 to 125 Quadruple 2-Input Positive-NAND Gates 14-CDIP -55 to 125 Quadruple 2-Input Positive-NAND Gates 14-CFP -55 to 125 Quadruple 2-Input Positive-NAND Gates 14-CDIP -55 to 125
Brand Name Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
包装说明 DFP, DIE, DIP-14 DFP, FL14,.3 DIP,
Reach Compliance Code _compli compli not_compliant _compli _compli
系列 AC AC AC AC AC
JESD-30 代码 R-GDFP-F14 R-XUUC-N14 R-GDIP-T14 R-GDFP-F14 R-GDIP-T14
长度 9.21 mm 2.118 mm 19.56 mm 9.21 mm 19.56 mm
负载电容(CL) 50 pF 50 pF 50 pF 50 pF 50 pF
逻辑集成电路类型 NAND GATE NAND GATE NAND GATE NAND GATE NAND GATE
最大I(ol) 0.024 A 0.024 A 0.024 A 0.024 A 0.024 A
功能数量 4 4 4 4 4
输入次数 2 2 2 2 2
端子数量 14 14 14 14 14
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
封装主体材料 CERAMIC, GLASS-SEALED UNSPECIFIED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码 DFP DIE DIP DFP DIP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK UNCASED CHIP IN-LINE FLATPACK IN-LINE
包装方法 TUBE TUBE TUBE TUBE TUBE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最大电源电流(ICC) 0.04 mA 0.04 mA 0.04 mA 0.04 mA 0.04 mA
传播延迟(tpd) 11 ns 11 ns 7 ns 7 ns 11 ns
认证状态 Qualified Qualified Qualified Qualified Qualified
施密特触发器 NO NO NO NO NO
筛选级别 MIL-PRF-38535 Class V MIL-PRF-38535 Class V 38535V;38534K;883S 38535V;38534K;883S MIL-PRF-38535 Class V
最大供电电压 (Vsup) 6 V 6 V 6 V 6 V 6 V
最小供电电压 (Vsup) 2 V 2 V 2 V 2 V 2 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 5 V 3 V 3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES NO YES NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子形式 FLAT NO LEAD THROUGH-HOLE FLAT THROUGH-HOLE
端子位置 DUAL UPPER DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 5.97 mm 1.268 mm 6.67 mm 5.97 mm 6.67 mm
是否无铅 不含铅 不含铅 - - 不含铅
是否Rohs认证 不符合 符合 不符合 - 不符合
厂商名称 Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) - Texas Instruments(德州仪器)
Prop。Delay @ Nom-Su 8.5 ns 8.5 ns - 11 ns 8.5 ns
座面最大高度 2.03 mm - 5.08 mm 2.03 mm 5.08 mm
端子节距 1.27 mm - 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm
总剂量 50k Rad(Si) V 100k Rad(Si) V - - 50k Rad(Si) V
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