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5962R8754903V9A

产品描述Quadruple 2-Input Positive-NAND Gates 0-XCEPT -55 to 125
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小296KB,共12页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
标准
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5962R8754903V9A概述

Quadruple 2-Input Positive-NAND Gates 0-XCEPT -55 to 125

5962R8754903V9A规格参数

参数名称属性值
Brand NameTexas Instruments
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
包装说明DIE,
Reach Compliance Codecompli
系列AC
JESD-30 代码R-XUUC-N14
长度2.118 mm
负载电容(CL)50 pF
逻辑集成电路类型NAND GATE
最大I(ol)0.024 A
功能数量4
输入次数2
端子数量14
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIE
封装形状RECTANGULAR
封装形式UNCASED CHIP
包装方法TUBE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大电源电流(ICC)0.04 mA
Prop。Delay @ Nom-Su8.5 ns
传播延迟(tpd)11 ns
认证状态Qualified
施密特触发器NO
筛选级别MIL-PRF-38535 Class V
最大供电电压 (Vsup)6 V
最小供电电压 (Vsup)2 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
总剂量100k Rad(Si) V
宽度1.268 mm

5962R8754903V9A相似产品对比

5962R8754903V9A 5962-8754903VCA 5962-8754903VDA 5962R8754903VCA 5962R8754903VDA
描述 Quadruple 2-Input Positive-NAND Gates 0-XCEPT -55 to 125 Quadruple 2-Input Positive-NAND Gates 14-CDIP -55 to 125 Quadruple 2-Input Positive-NAND Gates 14-CFP -55 to 125 Quadruple 2-Input Positive-NAND Gates 14-CDIP -55 to 125 Quadruple 2-Input Positive-NAND Gates 14-CFP -55 to 125
Brand Name Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
包装说明 DIE, DIP-14 DFP, FL14,.3 DIP, DFP,
Reach Compliance Code compli not_compliant _compli _compli _compli
系列 AC AC AC AC AC
JESD-30 代码 R-XUUC-N14 R-GDIP-T14 R-GDFP-F14 R-GDIP-T14 R-GDFP-F14
长度 2.118 mm 19.56 mm 9.21 mm 19.56 mm 9.21 mm
负载电容(CL) 50 pF 50 pF 50 pF 50 pF 50 pF
逻辑集成电路类型 NAND GATE NAND GATE NAND GATE NAND GATE NAND GATE
最大I(ol) 0.024 A 0.024 A 0.024 A 0.024 A 0.024 A
功能数量 4 4 4 4 4
输入次数 2 2 2 2 2
端子数量 14 14 14 14 14
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码 DIE DIP DFP DIP DFP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 UNCASED CHIP IN-LINE FLATPACK IN-LINE FLATPACK
包装方法 TUBE TUBE TUBE TUBE TUBE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最大电源电流(ICC) 0.04 mA 0.04 mA 0.04 mA 0.04 mA 0.04 mA
传播延迟(tpd) 11 ns 7 ns 7 ns 11 ns 11 ns
认证状态 Qualified Qualified Qualified Qualified Qualified
施密特触发器 NO NO NO NO NO
筛选级别 MIL-PRF-38535 Class V 38535V;38534K;883S 38535V;38534K;883S MIL-PRF-38535 Class V MIL-PRF-38535 Class V
最大供电电压 (Vsup) 6 V 6 V 6 V 6 V 6 V
最小供电电压 (Vsup) 2 V 2 V 2 V 2 V 2 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 3 V 3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES NO YES NO YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子形式 NO LEAD THROUGH-HOLE FLAT THROUGH-HOLE FLAT
端子位置 UPPER DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 1.268 mm 6.67 mm 5.97 mm 6.67 mm 5.97 mm
是否无铅 不含铅 - - 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 不符合 - 不符合 不符合
厂商名称 Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) - Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器)
Prop。Delay @ Nom-Su 8.5 ns - 11 ns 8.5 ns 8.5 ns
总剂量 100k Rad(Si) V - - 50k Rad(Si) V 50k Rad(Si) V
座面最大高度 - 5.08 mm 2.03 mm 5.08 mm 2.03 mm
端子节距 - 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm 1.27 mm
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