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BTS113

产品描述POWER, FET
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小312KB,共9页
制造商SIEMENS
官网地址http://www.infineon.com/
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BTS113概述

POWER, FET

BTS113规格参数

参数名称属性值
状态ACTIVE
晶体管类型GENERAL PURPOSE POWER

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TEMPFET
®
BTS 113A
Features
q
q
q
q
q
N channel
Logic level
Enhancement mode
Temperature sensor with thyristor characteristic
The drain pin is electrically shorted to the tab
1
2
3
Pin
1
G
2
D
3
S
Type
BTS 113A
V
DS
60 V
I
D
11.5 A
R
DS(on)
0.17
Package
TO-220AB
Ordering Code
C67078-S5015-A2
Maximum Ratings
Parameter
Drain-source voltage
Drain-gate voltage,
R
GS
= 20 kΩ
Gate-source voltage
Continuous drain current,
T
C
= 25
°C
ISO drain current
T
C
= 85 ˚C,
V
GS
= 10 V,
V
DS
= 0.5 V
Pulsed drain current,
Short circuit current,
Symbol
Values
60
60
±
10
11.5
2.2
46
27
400
40
– 55 ... + 150
E
55/150/56
K/W
3.1
75
°C
W
A
Unit
V
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D-ISO
I
D puls
I
SC
P
SCmax
P
tot
T
j
,
T
stg
T
C
= 25
°C
T
j
= – 55 ... + 150
°C
Short circuit dissipation,
T
j
= – 55 ... + 150
°C
Power dissipation
Operating and storage temperature range
DIN humidity category, DIN 40 040
IEC climatic category, DIN IEC 68-1
Thermal resistance
Chip-case
Chip-ambient
R
th JC
R
th JA
Semiconductor Group
1
04.97

BTS113相似产品对比

BTS113 BTS113A C67078-S5015-A2
描述 POWER, FET POWER, FET POWER, FET
状态 ACTIVE - ACTIVE
晶体管类型 GENERAL PURPOSE POWER - GENERAL PURPOSE POWER
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