Flash, 6MX16, 65ns, PBGA80, PLASTIC, FBGA-80
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | SPANSION |
零件包装代码 | BGA |
包装说明 | TFBGA, BGA80,8X12,32 |
针数 | 80 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | 3A991.B.1.A |
最长访问时间 | 65 ns |
启动块 | BOTTOM/TOP |
命令用户界面 | YES |
通用闪存接口 | YES |
数据轮询 | YES |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B80 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 12 mm |
内存密度 | 100663296 bit |
内存集成电路类型 | FLASH |
内存宽度 | 16 |
功能数量 | 1 |
部门数/规模 | 16,190 |
端子数量 | 80 |
字数 | 6291456 words |
字数代码 | 6000000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 6MX16 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TFBGA |
封装等效代码 | BGA80,8X12,32 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
页面大小 | 8 words |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 240 |
电源 | 3 V |
编程电压 | 3 V |
认证状态 | Not Qualified |
就绪/忙碌 | YES |
座面最大高度 | 1.2 mm |
部门规模 | 4K,32K |
最大待机电流 | 0.000005 A |
最大压摆率 | 0.045 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.1 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 0.8 mm |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
切换位 | YES |
类型 | NOR TYPE |
宽度 | 9 mm |
MBM29QM96DF65PBT | MBM29QM96DF80PBT | MBM29QM96DF80PBT-E1 | MBM29QM96DF65PBT-E1 | |
---|---|---|---|---|
描述 | Flash, 6MX16, 65ns, PBGA80, PLASTIC, FBGA-80 | Flash, 6MX16, 80ns, PBGA80, PLASTIC, FBGA-80 | Flash, 6MX16, 80ns, PBGA80, PLASTIC, FBGA-80 | Flash, 6MX16, 65ns, PBGA80, PLASTIC, FBGA-80 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 符合 | 符合 |
零件包装代码 | BGA | BGA | BGA | BGA |
包装说明 | TFBGA, BGA80,8X12,32 | TFBGA, BGA80,8X12,32 | PLASTIC, FBGA-80 | PLASTIC, FBGA-80 |
针数 | 80 | 80 | 80 | 80 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant | compliant |
ECCN代码 | 3A991.B.1.A | 3A991.B.1.A | 3A991.B.1.A | 3A991.B.1.A |
最长访问时间 | 65 ns | 80 ns | 80 ns | 65 ns |
启动块 | BOTTOM/TOP | BOTTOM/TOP | BOTTOM/TOP | BOTTOM/TOP |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B80 | R-PBGA-B80 | R-PBGA-B80 | R-PBGA-B80 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e1 | e1 |
长度 | 12 mm | 12 mm | 12 mm | 12 mm |
内存密度 | 100663296 bit | 100663296 bit | 100663296 bit | 100663296 bit |
内存集成电路类型 | FLASH | FLASH | FLASH | FLASH |
内存宽度 | 16 | 16 | 16 | 16 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 80 | 80 | 80 | 80 |
字数 | 6291456 words | 6291456 words | 6291456 words | 6291456 words |
字数代码 | 6000000 | 6000000 | 6000000 | 6000000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
组织 | 6MX16 | 6MX16 | 6MX16 | 6MX16 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TFBGA | TFBGA | TFBGA | TFBGA |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 240 | 240 | 260 | 260 |
编程电压 | 3 V | 3 V | 3 V | 3 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.2 mm | 1.2 mm | 1.2 mm | 1.2 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 3.1 V | 3.1 V | 3.1 V | 3.1 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V | 2.7 V | 2.7 V | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3 V | 3 V | 3 V | 3 V |
表面贴装 | YES | YES | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
端子面层 | TIN LEAD | TIN LEAD | TIN SILVER COPPER | TIN SILVER COPPER |
端子形式 | BALL | BALL | BALL | BALL |
端子节距 | 0.8 mm | 0.8 mm | 0.8 mm | 0.8 mm |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | 30 | 40 | 40 |
类型 | NOR TYPE | NOR TYPE | NOR TYPE | NOR TYPE |
宽度 | 9 mm | 9 mm | 9 mm | 9 mm |
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