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CD74ACT20EE4: 产品描述Dual 4-Input NAND Gates 14-PDIP -55 to 125; 产品类别逻辑逻辑; 文件大小974KB，共15页; 制造商Texas Instruments(德州仪器); 官网地址http://www.ti.com.cn/; 标准

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CD74ACT20EE4概述

Dual 4-Input NAND Gates 14-PDIP -55 to 125

CD74ACT20EE4规格参数

参数名称	属性值
Brand Name	Texas Instruments
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP, DIP14,.3
针数	14
Reach Compliance Code	compli
系列	ACT
JESD-30 代码	R-PDIP-T14
JESD-609代码	e4
长度	19.305 mm
负载电容（CL）	50 pF
逻辑集成电路类型	NAND GATE
最大I（ol）	0.024 A
功能数量	2
输入次数	4
端子数量	14
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP14,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
包装方法	TUBE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
Prop。Delay @ Nom-Su	13.5 ns
传播延迟（tpd）	13.5 ns
认证状态	Not Qualified
施密特触发器	NO
座面最大高度	5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	7.62 mm

CD74ACT20EE4相似产品对比

	CD74ACT20EE4	CD74ACT20E	CD74ACT20M	CD74ACT20M96	CD74ACT20MG4
描述	Dual 4-Input NAND Gates 14-PDIP -55 to 125	Dual 4-Input NAND Gates 14-PDIP -55 to 125	Dual 4-Input NAND Gates 14-SOIC -55 to 125	Dual 4-Input NAND Gates 14-SOIC -55 to 125	Dual 4-Input NAND Gates 14-SOIC -55 to 125
Brand Name	Texas Instruments	Texas Instruments	Texas Instruments	Texas Instruments	Texas Instruments
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合
厂商名称	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码	DIP	DIP	SOIC	SOIC	SOIC
包装说明	DIP, DIP14,.3	DIP, DIP14,.3	SOP, SOP14,.25	SOP, SOP14,.25	SOP, SOP14,.25
针数	14	14	14	14	14
Reach Compliance Code	compli	compli	compli	compli	compli
系列	ACT	ACT	ACT	ACT	ACT
JESD-30 代码	R-PDIP-T14	R-PDIP-T14	R-PDSO-G14	R-PDSO-G14	R-PDSO-G14
JESD-609代码	e4	e4	e4	e4	e4
长度	19.305 mm	19.3 mm	8.65 mm	8.65 mm	8.65 mm
负载电容（CL）	50 pF	50 pF	50 pF	50 pF	50 pF
逻辑集成电路类型	NAND GATE	NAND GATE	NAND GATE	NAND GATE	NAND GATE
最大I（ol）	0.024 A	0.024 A	0.024 A	0.024 A	0.024 A
功能数量	2	2	2	2	2
输入次数	4	4	4	4	4
端子数量	14	14	14	14	14
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	DIP	SOP	SOP	SOP
封装等效代码	DIP14,.3	DIP14,.3	SOP14,.25	SOP14,.25	SOP14,.25
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
包装方法	TUBE	TUBE	TUBE	TR	TUBE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	260	260	260
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
Prop。Delay @ Nom-Su	13.5 ns	13.5 ns	13.5 ns	13.5 ns	13.5 ns
传播延迟（tpd）	13.5 ns	13.5 ns	13.5 ns	13.5 ns	13.5 ns
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
施密特触发器	NO	NO	NO	NO	NO
座面最大高度	5.08 mm	5.08 mm	1.75 mm	1.75 mm	1.75 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子面层	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	7.62 mm	6.35 mm	3.91 mm	3.91 mm	3.9 mm
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	-
ECCN代码	-	EAR99	EAR99	EAR99	-
Factory Lead Time	-	1 week	6 weeks	1 week	-
最大电源电流（ICC）	-	0.08 mA	0.08 mA	0.08 mA	-
湿度敏感等级	-	-	1	1	1
Base Number Matches	-	-	1	1	1

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