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MBM200GR12

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 1200V V(BR)CES
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小53KB,共1页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
下载文档 详细参数 全文预览

MBM200GR12概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 1200V V(BR)CES

MBM200GR12规格参数

参数名称属性值
厂商名称Hitachi (Renesas )
包装说明FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)200 A
集电极-发射极最大电压1200 V
门极-发射极最大电压20 V
JESD-30 代码R-PUFM-X7
元件数量1
端子数量7
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
最大功率耗散 (Abs)1130 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
VCEsat-Max2.8 V
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