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UPD44323362F1-C40-FJ1-A

产品描述Late-Write SRAM, 1MX36, 2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 12 MM, 1.27 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-119
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文件大小212KB,共28页
制造商NEC(日电)
标准
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UPD44323362F1-C40-FJ1-A概述

Late-Write SRAM, 1MX36, 2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 12 MM, 1.27 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-119

UPD44323362F1-C40-FJ1-A规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称NEC(日电)
包装说明14 X 12 MM, 1.27 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-119
Reach Compliance Codecompliant
最长访问时间2 ns
JESD-30 代码R-PBGA-B119
JESD-609代码e1
长度22 mm
内存密度37748736 bit
内存集成电路类型LATE-WRITE SRAM
内存宽度36
功能数量1
端子数量119
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX36
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.36 mm
最大供电电压 (Vsup)2.625 V
最小供电电压 (Vsup)2.375 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式BALL
端子节距1.27 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度14 mm

UPD44323362F1-C40-FJ1-A相似产品对比

UPD44323362F1-C40-FJ1-A
描述 Late-Write SRAM, 1MX36, 2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 12 MM, 1.27 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-119
是否Rohs认证 符合
厂商名称 NEC(日电)
包装说明 14 X 12 MM, 1.27 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-119
Reach Compliance Code compliant
最长访问时间 2 ns
JESD-30 代码 R-PBGA-B119
JESD-609代码 e1
长度 22 mm
内存密度 37748736 bit
内存集成电路类型 LATE-WRITE SRAM
内存宽度 36
功能数量 1
端子数量 119
字数 1048576 words
字数代码 1000000
工作模式 SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C
组织 1MX36
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 BGA
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY
并行/串行 PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified
座面最大高度 2.36 mm
最大供电电压 (Vsup) 2.625 V
最小供电电压 (Vsup) 2.375 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 COMMERCIAL
端子面层 TIN SILVER COPPER
端子形式 BALL
端子节距 1.27 mm
端子位置 BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
宽度 14 mm

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