Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> IDT71V3576S133BQ

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IDT71V3576S133BQ: 产品描述Cache SRAM, 128KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165; 产品类别存储存储; 文件大小281KB，共22页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

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IDT71V3576S133BQ概述

Cache SRAM, 128KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165

IDT71V3576S133BQ规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	BGA
包装说明	FBGA-165
针数	165
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	4.2 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B165
JESD-609代码	e0
长度	15 mm
内存密度	4718592 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM
内存宽度	36
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	165
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	128KX36
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TBGA
封装等效代码	BGA165,11X15,40
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大待机电流	0.03 A
最小待机电流	3.14 V
最大压摆率	0.25 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式	BALL
端子节距	1 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	20
宽度	13 mm

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128K x 36, 256K x 18

3.3V Synchronous SRAMs

3.3V I/O, Pipelined Outputs

Burst Counter, Single Cycle Deselect

IDT71V3576S

IDT71V3578S

IDT71V3576SA

IDT71V3578SA

Features

128K x 36, 256K x 18 memory configurations

Supports high system speed:

Commercial and Industrial:

– 150MHz 3.8ns clock access time

– 133MHz 4.2ns clock access time

LBO

input selects interleaved or linear burst mode

Self-timed write cycle with global write control (GW), byte write

enable (BWE), and byte writes (BWx)

3.3V core power supply

Power down controlled by ZZ input

3.3V I/O

Optional - Boundary Scan JTAG Interface (IEEE 1149.1

compliant)

Packaged in a JEDEC Standard 100-pin plastic thin quad

flatpack (TQFP), 119 ball grid array (BGA) and 165 fine pitch ball

grid array (fBGA)

Description

The IDT71V3576/78 are high-speed SRAMs organized as

128K x 36/256K x 18. The IDT71V3576/78 SRAMs contain write, data,

address and control registers. Internal logic allows the SRAM to generate

a self-timed write based upon a decision which can be left until the end of

the write cycle.

The burst mode feature offers the highest level of performance to the

system designer, as the IDT71V3576/78 can provide four cycles of data

for a single address presented to the SRAM. An internal burst address

counter accepts the first cycle address from the processor, initiating the

access sequence. The first cycle of output data will be pipelined for one

cycle before it is available on the next rising clock edge. If burst mode

operation is selected (ADV=LOW), the subsequent three cycles of output

data will be available to the user on the next three rising clock edges. The

order of these three addresses are defined by the internal burst counter

and the

LBO

input pin.

The IDT71V3576/78 SRAMs utilize IDT’s latest high-performance

CMOS process and are packaged in a JEDEC standard 14mm x 20mm

100-pin thin plastic quad flatpack (TQFP) as well as a 119 ball grid array

(BGA) and a 165 fine pitch ball grid array (fBGA).

Pin Description Summary

-A

BWE

(1)

CLK

ADV

ADSC

ADSP

LBO

TMS

TDI

TCK

TDO

TRST

I/O

-I/O

, I/O

-I/O

, V

DDQ

Address Inputs

Chip Enable

Chip Selects

Output Enable

Global Write Enable

Byte Write Enable

Individual Byte Write Selects

Clock

Burst Address Advance

Address Status (Cache Controller)

Address Status (Processor)

Linear / Interleaved Burst Order

Test Mode Select

Test Data Input

Test Clock

Test Data Output

JTAG Reset (Optional)

Sleep Mode

Data Input / Output

Core Power, I/O Power

Ground

Input

Output

Input

I/O

Supply

Synchronous

Asynchronous

Synchronous

N/A

Synchronous

N/A

Synchronous

Asynchronous

Synchronous

N/A

5279 tbl 01

NOTE:

and

are not applicable for the IDT71V3578.

JUNE 2003

DSC-5279/03

IDT71V3576S133BQ相似产品对比

	IDT71V3576S133BQ	IDT71V3576S133BQI	IDT71V3576S133PFI	IDT71V3576S150BQI	IDT71V3576S150PFI	IDT71V3576S150BG	IDT71V3576S150BGI	IDT71V3576SA150BQ	IDT71V3576SA150BGI
描述	Cache SRAM, 128KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165	Cache SRAM, 128KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165	Cache SRAM, 128KX36, 4.2ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100	Cache SRAM, 128KX36, 3.8ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165	Cache SRAM, 128KX36, 3.8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100	Cache SRAM, 128KX36, 3.8ns, CMOS, PBGA119, BGA-119	Cache SRAM, 128KX36, 3.8ns, CMOS, PBGA119, BGA-119	Cache SRAM, 128KX36, 3.8ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165	Cache SRAM, 128KX36, 3.8ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	BGA	BGA	QFP	BGA	QFP	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	FBGA-165	FBGA-165	14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100	FBGA-165	14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100	BGA-119	BGA-119	FBGA-165	BGA-119
针数	165	165	100	165	100	119	119	165	119
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	4.2 ns	4.2 ns	4.2 ns	3.8 ns	3.8 ns	3.8 ns	3.8 ns	3.8 ns	3.8 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz	133 MHz	133 MHz	150 MHz	150 MHz	150 MHz	150 MHz	150 MHz	150 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PQFP-G100	R-PBGA-B165	R-PQFP-G100	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B165	R-PBGA-B119
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	15 mm	15 mm	20 mm	15 mm	20 mm	22 mm	22 mm	15 mm	22 mm
内存密度	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM
内存宽度	36	36	36	36	36	36	36	36	36
湿度敏感等级	3	3	3	3	3	3	3	3	3
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	165	165	100	165	100	119	119	165	119
字数	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words
字数代码	128000	128000	128000	128000	128000	128000	128000	128000	128000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	70 °C	85 °C	70 °C	85 °C
最低工作温度	-	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-	-40 °C	-	-40 °C
组织	128KX36	128KX36	128KX36	128KX36	128KX36	128KX36	128KX36	128KX36	128KX36
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TBGA	TBGA	LQFP	TBGA	LQFP	BGA	BGA	TBGA	BGA
封装等效代码	BGA165,11X15,40	BGA165,11X15,40	QFP100,.63X.87	BGA165,11X15,40	QFP100,.63X.87	BGA119,7X17,50	BGA119,7X17,50	BGA165,11X15,40	BGA119,7X17,50
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225	225	240	225	240	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	225	NOT SPECIFIED
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.6 mm	1.2 mm	1.6 mm	2.36 mm	2.36 mm	1.2 mm	2.36 mm
最大待机电流	0.03 A	0.035 A	0.035 A	0.035 A	0.035 A	0.03 A	0.035 A	0.03 A	0.035 A
最小待机电流	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V
最大压摆率	0.25 mA	0.26 mA	0.26 mA	0.305 mA	0.305 mA	0.295 mA	0.305 mA	0.295 mA	0.305 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式	BALL	BALL	GULL WING	BALL	GULL WING	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	1 mm	1 mm	0.65 mm	1 mm	0.65 mm	1.27 mm	1.27 mm	1 mm	1.27 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	QUAD	BOTTOM	QUAD	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	20	20	20	20	20	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	20	NOT SPECIFIED
宽度	13 mm	13 mm	14 mm	13 mm	14 mm	14 mm	14 mm	13 mm	14 mm
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	-	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)

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