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OPA2322AIDR

产品描述20MHz, Low Noise, 1.8V RRIO, CMOS Operational Amplifier 8-SOIC -40 to 125
产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小3MB,共54页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
标准
相似器件已查找到20个与OPA2322AIDR功能相似器件
敬请期待 详细参数

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OPA2322AIDR概述

20MHz, Low Noise, 1.8V RRIO, CMOS Operational Amplifier 8-SOIC -40 to 125

OPA2322AIDR规格参数

参数名称属性值
Brand NameTexas Instruments
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码SOIC
包装说明SOP, SOP8,.25
针数8
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time6 weeks
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
架构VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)0.0004 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)0.00001 µA
最小共模抑制比90 dB
标称共模抑制比100 dB
频率补偿YES
最大输入失调电流 (IIO)0.00001 µA
最大输入失调电压2000 µV
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e4
长度4.9 mm
低-偏置YES
低-失调NO
微功率NO
湿度敏感等级2
功能数量2
端子数量8
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP8,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
包装方法TR
峰值回流温度(摄氏度)260
功率NO
电源+-0.9/+-2.75/1.8/5.5 V
可编程功率NO
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.75 mm
标称压摆率10 V/us
最大压摆率1.75 mA
供电电压上限6 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽20000 kHz
最小电压增益50100
宽带NO
宽度3.9 mm
Base Number Matches1

与OPA2322AIDR功能相似器件

器件名 厂商 描述
OPA2322AID Texas Instruments(德州仪器) 20MHz, Low Noise, 1.8V RRIO, CMOS Operational Amplifier 8-SOIC -40 to 125
OPA2330AIDR Texas Instruments(德州仪器) 增益带宽积(GBP):350kHz 放大器组数:2 运放类型:Zero-Drift 各通道功耗:21uA 压摆率(SR):0.16 V/us 电源电压:1.8V ~ 5.5V, ±0.9V ~ 2.75V
OPA2333HD Texas Instruments(德州仪器) High Temperature 1.8-V Micropower CMOS Operational Amplifier Zero-Drift Series 8-SOIC -55 to 175
MC4558CDT ST(意法半导体)
OPA2330AID Texas Instruments(德州仪器) 1.8V, 35μA, microPower, Precision, Zero Drift CMOS Op Amp 8-SOIC -40 to 125
LMV712MMX/NOPB Texas Instruments(德州仪器) Low Pwr, Low Noise, High Output, RRIO Dual Op Amp w/ Independent Shutdown 10-VSSOP -40 to 85
BU7242F-E2 ROHM(罗姆半导体) Operational Amplifiers - Op Amps Low Voltage 1.8-5.5V 10mA; 0.4 slew rate
BU7242SF-E2 ROHM(罗姆半导体) Operational Amplifiers - Op Amps Low Voltage 1.8-5.5V 10mA; 0.4 slew rate
BU7262F-E2 ROHM(罗姆半导体) Operational Amplifiers - Op Amps Low Voltage 1.8-5.5V 10mA; 1.1 slew rate
ISL28230FBZ Renesas(瑞萨电子) Dual Micropower, Low Drift, RRIO Operational Amplifier; DFN8, MSOP8, SOIC8; Temp Range: See Datasheet
ISL28230CBZ Renesas(瑞萨电子) Dual Micropower, Low Drift, RRIO Operational Amplifier; DFN8, MSOP8, SOIC8; Temp Range: See Datasheet
LMV712Q1MMX/NOPB Texas Instruments(德州仪器) Automotive, Dual, Low Power, Low Noise, High Output, RRIO Op Amp with Shutdown 10-VSSOP -40 to 125
ISL28230CBZ-T7A Renesas(瑞萨电子) IC OPAMP GP 400KHZ RRO 8SOIC
ISL28214FBZ Renesas(瑞萨电子) Dual General Purpose Micropower, RRIO Operational Amplifiers; MSOP8, SOIC8, SOT8; Temp Range: -40° to 125°C
OPA2330AIDRG4 Texas Instruments(德州仪器) 1.8V, 35μA, microPower, Precision, Zero Drift CMOS Op Amp 8-SOIC -40 to 125
ISL28230CBZ-T7 Renesas(瑞萨电子) Dual Micropower, Low Drift, RRIO Operational Amplifier; DFN8, MSOP8, SOIC8; Temp Range: See Datasheet
BU7242F ROHM(罗姆半导体) DUAL OP-AMP, 10000 uV OFFSET-MAX, 0.9 MHz BAND WIDTH, PDSO8
BU7262F ROHM(罗姆半导体) DUAL OP-AMP, 10000 uV OFFSET-MAX, 2 MHz BAND WIDTH, PDSO8
BU7262SF-E2 ROHM(罗姆半导体) Operational Amplifiers - Op Amps Low Voltage 1.8-5.5V 10mA; 1.1 slew rate
BU7242SF ROHM(罗姆半导体) DUAL OP-AMP, 10000 uV OFFSET-MAX, 0.9 MHz BAND WIDTH, PDSO8

 
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