2SA1020G-O-AB3-R,2SA1020G-O-AB3-R pdf中文资料,2SA1020G-O-AB3-R引脚图,2SA1020G-O-AB3-R电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 2SA1020G-O-AB3-R

2SA1020G-O-AB3-R: 产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), PNP,; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小681KB，共4页; 制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD; 官网地址http://www.unisonic.com.tw/

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2SA1020G-O-AB3-R概述

Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), PNP,

2SA1020G-O-AB3-R规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code	compli
最大集电极电流 (IC)	2 A
集电极-发射极最大电压	50 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	70
JESD-30 代码	R-PSSO-F3
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.5 W
表面贴装	YES
端子形式	FLAT
端子位置	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	100 MHz
Base Number Matches	1

2SA1020G-O-AB3-R相似产品对比

	2SA1020G-O-AB3-R	2SA1020G-O-T9N-B	2SA1020G-Y-AE3-R	2SA1020G-Y-T9N-K	2SA1020G-Y-T9N-B	2SA1020G-Y-AB3-R	2SA1020G-O-T9N-K	2SA1020G-O-AE3-R	2SA1020L-O-AE3-R	2SA1020L-Y-AE3-R
描述	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), PNP,	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), PNP,	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), PNP,	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), PNP,	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), PNP,	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), PNP,	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), PNP,	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), PNP,	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), PNP,	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), PNP,
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	符合	符合
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code	compli	compli	compli	compli	compli	compli	compli	compli	compli	compli
最大集电极电流 (IC)	2 A	2 A	2 A	2 A	2 A	2 A	2 A	2 A	2 A	2 A
集电极-发射极最大电压	50 V	50 V	50 V	50 V	50 V	50 V	50 V	50 V	50 V	50 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	70	70	120	120	120	120	70	70	70	120
JESD-30 代码	R-PSSO-F3	O-PBCY-T3	R-PDSO-G3	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	R-PSSO-F3	O-PBCY-T3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3
元件数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3	3	3	3	3	3
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	ROUND	RECTANGULAR	ROUND	ROUND	RECTANGULAR	ROUND	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	CYLINDRICAL	SMALL OUTLINE	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	SMALL OUTLINE	CYLINDRICAL	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.5 W	0.9 W	0.3 W	0.9 W	0.9 W	0.5 W	0.9 W	0.3 W	0.3 W	0.3 W
表面贴装	YES	NO	YES	NO	NO	YES	NO	YES	YES	YES
端子形式	FLAT	THROUGH-HOLE	GULL WING	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	FLAT	THROUGH-HOLE	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	SINGLE	BOTTOM	DUAL	BOTTOM	BOTTOM	SINGLE	BOTTOM	DUAL	DUAL	DUAL
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1	1	-	-

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