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THS3111IDR

产品描述Single, Low Noise, High Voltage Current-Feedback Amplifier 8-SOIC -40 to 85
产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小1MB,共36页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
标准
相似器件已查找到18个与THS3111IDR功能相似器件
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THS3111IDR概述

Single, Low Noise, High Voltage Current-Feedback Amplifier 8-SOIC -40 to 85

THS3111IDR规格参数

参数名称属性值
Brand NameTexas Instruments
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码SOIC
包装说明HSOP,
针数8
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time6 weeks
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
架构CURRENT-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)4 µA
标称带宽 (3dB)66 MHz
25C 时的最大偏置电流 (IIB)9.5 µA
最小共模抑制比62 dB
标称共模抑制比58 dB
频率补偿YES
最大输入失调电流 (IIO)15 µA
最大输入失调电压12000 µV
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e4
长度4.9 mm
低-偏置NO
低-失调NO
微功率NO
湿度敏感等级1
负供电电压上限-16.5 V
标称负供电电压 (Vsup)-5 V
功能数量1
端子数量8
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码HSOP
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG
包装方法TR
峰值回流温度(摄氏度)260
可编程功率NO
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.75 mm
标称压摆率700 V/us
最大压摆率6.5 mA
供电电压上限16.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽80000 kHz
宽带YES
宽度3.9 mm

与THS3111IDR功能相似器件

器件名 厂商 描述
THS3111ID Texas Instruments(德州仪器) Single, Low Noise, High Voltage Current-Feedback Amplifier 8-SOIC -40 to 85
THS3111CD Texas Instruments(德州仪器) Single, Low Noise, High Voltage Current-Feedback Amplifier 8-SOIC 0 to 70
THS3111IDG4 Texas Instruments(德州仪器) Single, Low Noise, High Voltage Current-Feedback Amplifier 8-SOIC -40 to 85
THS3111CDG4 Texas Instruments(德州仪器) Single, Low Noise, High Voltage Current-Feedback Amplifier 8-SOIC 0 to 70
THS3111CDR Texas Instruments(德州仪器) High Speed Operational Amplifiers Single Lo-Noise Hi-Vltg Crnt-Feedbck
THS3111CDRG4 Texas Instruments(德州仪器) High Speed Operational Amplifiers Single Lo-Noise Hi-Vltg Crnt-Feedbck
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