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2N2327LEADFREE

产品描述Silicon Controlled Rectifier, 1.6A I(T)RMS, 250V V(DRM), 250V V(RRM), 1 Element, TO-39, HERMETIC SEALED PACKAGE-3
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小127KB,共2页
制造商Central Semiconductor
相似器件已查找到18个与2N2327LEADFREE功能相似器件
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2N2327LEADFREE概述

Silicon Controlled Rectifier, 1.6A I(T)RMS, 250V V(DRM), 250V V(RRM), 1 Element, TO-39, HERMETIC SEALED PACKAGE-3

2N2327LEADFREE规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
零件包装代码TO-39
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
最大直流栅极触发电流0.2 mA
JEDEC-95代码TO-39
JESD-30 代码O-MBCY-W3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度125 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大均方根通态电流1.6 A
断态重复峰值电压250 V
重复峰值反向电压250 V
表面贴装NO
端子面层MATTE TIN
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
触发设备类型SCR
Base Number Matches1

2N2327LEADFREE相似产品对比

2N2327LEADFREE 2N2322LEADFREE 2N2323LEADFREE 2N2325LEADFREE 2N2328LEADFREE 2N2329LEADFREE 2N2324LEADFREE 2N2326LEADFREE
描述 Silicon Controlled Rectifier, 1.6A I(T)RMS, 250V V(DRM), 250V V(RRM), 1 Element, TO-39, HERMETIC SEALED PACKAGE-3 Silicon Controlled Rectifier, 1.6A I(T)RMS, 25V V(DRM), 25V V(RRM), 1 Element, TO-39, HERMETIC SEALED PACKAGE-3 Silicon Controlled Rectifier, 1.6A I(T)RMS, 50V V(DRM), 50V V(RRM), 1 Element, TO-39, HERMETIC SEALED PACKAGE-3 Silicon Controlled Rectifier, 1.6A I(T)RMS, 150V V(DRM), 150V V(RRM), 1 Element, TO-39, HERMETIC SEALED PACKAGE-3 Silicon Controlled Rectifier, 1.6A I(T)RMS, 300V V(DRM), 300V V(RRM), 1 Element, TO-39, HERMETIC SEALED PACKAGE-3 Silicon Controlled Rectifier, 1.6A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-39, HERMETIC SEALED PACKAGE-3 Silicon Controlled Rectifier, 1.6A I(T)RMS, 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element, TO-39, HERMETIC SEALED PACKAGE-3 Silicon Controlled Rectifier, 1.6A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-39, HERMETIC SEALED PACKAGE-3
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
零件包装代码 TO-39 TO-39 TO-39 TO-39 TO-39 TO-39 TO-39 TO-39
包装说明 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数 3 3 3 3 3 3 3 3
Reach Compliance Code compli compli compli compli compli compli compli compli
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最大直流栅极触发电流 0.2 mA 0.2 mA 0.2 mA 0.2 mA 0.2 mA 0.2 mA 0.2 mA 0.2 mA
JEDEC-95代码 TO-39 TO-39 TO-39 TO-39 TO-39 TO-39 TO-39 TO-39
JESD-30 代码 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3
JESD-609代码 e3 e3 e3 e3 e3 e3 e3 e3
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3 3 3
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL METAL METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大均方根通态电流 1.6 A 1.6 A 1.6 A 1.6 A 1.6 A 1.6 A 1.6 A 1.6 A
断态重复峰值电压 250 V 25 V 50 V 150 V 300 V 400 V 100 V 200 V
重复峰值反向电压 250 V 25 V 50 V 150 V 300 V 400 V 100 V 200 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO
端子面层 MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
触发设备类型 SCR SCR SCR SCR SCR SCR SCR SCR
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 1 1
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 - EAR99 EAR99

与2N2327LEADFREE功能相似器件

器件名 厂商 描述
2N2327 New Jersey Semiconductor Thyristor SCR 250V 15A 3-Pin TO-39
2N2327E3 Microsemi Silicon Controlled Rectifier, 2.512A I(T)RMS, 250V V(DRM), 250V V(RRM), 1 Element, TO-39, TO-39, 3 PIN
2N3027 Digitron Silicon Controlled Rectifier; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 30; Max TMS Bridge Input Voltage: 0.5; Max DC Reverse Voltage: 0.0001; Capacitance: 5; Package: TO-18
2N2328 SSDI Silicon Controlled Rectifier, 2.5A I(T)RMS, 1600mA I(T), 300V V(DRM), 1 Element, TO-5, TO-5, 3 PIN
2N6396 Advanced Semiconductor, Inc. Silicon Controlled Rectifier, 5000mA I(T), 200V V(DRM)
2N6402 Toshiba(东芝) SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),5A I(T),TO-220
C126F Semitronics Corp Silicon Controlled Rectifier, 12A I(T)RMS, 50V V(DRM), 50V V(RRM), 1 Element, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
BT151X-650R,127 WeEn Semiconductors Silicon Controlled Rectifier, 12A I(T)RMS, 650V V(DRM), 650V V(RRM), 1 Element, TO-220AB, PLASTIC, TO-220F, FULL PACK-3
2N1772A SSDI Silicon Controlled Rectifier, 7.4A I(T)RMS, 4700mA I(T), 100V V(DRM), 1 Element, TO-64, TO-64, 2 PIN
2N1776A SSDI Silicon Controlled Rectifier, 7.4A I(T)RMS, 4700mA I(T), 300V V(DRM), 1 Element, TO-64, TO-64, 2 PIN
2N879 Digitron SILICON CONTROLLED RECTIFIER
2N1880 Digitron Silicon Controlled Rectifier; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 200; Max TMS Bridge Input Voltage: 1.25; Max DC Reverse Voltage: 0.01; Capacitance: 3; Package: TO-5
C15F Semitronics Corp Silicon Controlled Rectifier, 8A I(T)RMS, 3000mA I(T), 50V V(DRM), 50V V(RRM), 1 Element, TO-64
MCR718 Central Semiconductor SURFACE MOUNT SILICON CONTROLLED RECTIFIER 4 AMP, 400 THRU 600 VOLTS
2N1802 Vishay(威世) Silicon Controlled Rectifier, 110 A, 800 V, SCR, TO-208AD, TO-83, 2 PIN
CS29-08IO1C IXYS Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, PLASTIC, ISOPLUS220, 3 PIN
S2025L Littelfuse SCRs 25A 200V
S1020L Littelfuse Silicon Controlled Rectifier, 20A I(T)RMS, 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element, TO-220AB,
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