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2N2322LEADFREE: 产品描述Silicon Controlled Rectifier, 1.6A I(T)RMS, 25V V(DRM), 25V V(RRM), 1 Element, TO-39, HERMETIC SEALED PACKAGE-3; 产品类别模拟混合信号IC 触发装置; 文件大小127KB，共2页; 制造商Central Semiconductor; 相似器件已查找到18个与2N2322LEADFREE功能相似器件

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2N2322LEADFREE概述

Silicon Controlled Rectifier, 1.6A I(T)RMS, 25V V(DRM), 25V V(RRM), 1 Element, TO-39, HERMETIC SEALED PACKAGE-3

2N2322LEADFREE规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
零件包装代码	TO-39
包装说明	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数	3
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
配置	SINGLE
最大直流栅极触发电流	0.2 mA
JEDEC-95代码	TO-39
JESD-30 代码	O-MBCY-W3
JESD-609代码	e3
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-65 °C
封装主体材料	METAL
封装形状	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
最大均方根通态电流	1.6 A
断态重复峰值电压	25 V
重复峰值反向电压	25 V
表面贴装	NO
端子面层	MATTE TIN
端子形式	WIRE
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
触发设备类型	SCR
Base Number Matches	1

2N2322LEADFREE相似产品对比

	2N2322LEADFREE	2N2323LEADFREE	2N2325LEADFREE	2N2327LEADFREE	2N2328LEADFREE	2N2329LEADFREE	2N2324LEADFREE	2N2326LEADFREE
描述	Silicon Controlled Rectifier, 1.6A I(T)RMS, 25V V(DRM), 25V V(RRM), 1 Element, TO-39, HERMETIC SEALED PACKAGE-3	Silicon Controlled Rectifier, 1.6A I(T)RMS, 50V V(DRM), 50V V(RRM), 1 Element, TO-39, HERMETIC SEALED PACKAGE-3	Silicon Controlled Rectifier, 1.6A I(T)RMS, 150V V(DRM), 150V V(RRM), 1 Element, TO-39, HERMETIC SEALED PACKAGE-3	Silicon Controlled Rectifier, 1.6A I(T)RMS, 250V V(DRM), 250V V(RRM), 1 Element, TO-39, HERMETIC SEALED PACKAGE-3	Silicon Controlled Rectifier, 1.6A I(T)RMS, 300V V(DRM), 300V V(RRM), 1 Element, TO-39, HERMETIC SEALED PACKAGE-3	Silicon Controlled Rectifier, 1.6A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-39, HERMETIC SEALED PACKAGE-3	Silicon Controlled Rectifier, 1.6A I(T)RMS, 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element, TO-39, HERMETIC SEALED PACKAGE-3	Silicon Controlled Rectifier, 1.6A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-39, HERMETIC SEALED PACKAGE-3
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
零件包装代码	TO-39	TO-39	TO-39	TO-39	TO-39	TO-39	TO-39	TO-39
包装说明	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数	3	3	3	3	3	3	3	3
Reach Compliance Code	compli	compli	compli	compli	compli	compli	compli	compli
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最大直流栅极触发电流	0.2 mA	0.2 mA	0.2 mA	0.2 mA	0.2 mA	0.2 mA	0.2 mA	0.2 mA
JEDEC-95代码	TO-39	TO-39	TO-39	TO-39	TO-39	TO-39	TO-39	TO-39
JESD-30 代码	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3
JESD-609代码	e3	e3	e3	e3	e3	e3	e3	e3
元件数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3	3	3	3
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C
封装主体材料	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大均方根通态电流	1.6 A	1.6 A	1.6 A	1.6 A	1.6 A	1.6 A	1.6 A	1.6 A
断态重复峰值电压	25 V	50 V	150 V	250 V	300 V	400 V	100 V	200 V
重复峰值反向电压	25 V	50 V	150 V	250 V	300 V	400 V	100 V	200 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
端子面层	MATTE TIN	MATTE TIN	MATTE TIN	MATTE TIN	MATTE TIN	MATTE TIN	MATTE TIN	MATTE TIN
端子形式	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
触发设备类型	SCR	SCR	SCR	SCR	SCR	SCR	SCR	SCR
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1	1
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	-	EAR99	EAR99

与2N2322LEADFREE功能相似器件

器件名	厂商	描述
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2N3027	Digitron	Silicon Controlled Rectifier; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 30; Max TMS Bridge Input Voltage: 0.5; Max DC Reverse Voltage: 0.0001; Capacitance: 5; Package: TO-18
2N2328	SSDI	Silicon Controlled Rectifier, 2.5A I(T)RMS, 1600mA I(T), 300V V(DRM), 1 Element, TO-5, TO-5, 3 PIN
2N6396	Advanced Semiconductor, Inc.	Silicon Controlled Rectifier, 5000mA I(T), 200V V(DRM)
2N6402	Toshiba(东芝)	SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),5A I(T),TO-220
C126F	Semitronics Corp	Silicon Controlled Rectifier, 12A I(T)RMS, 50V V(DRM), 50V V(RRM), 1 Element, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
BT151X-650R,127	WeEn Semiconductors	Silicon Controlled Rectifier, 12A I(T)RMS, 650V V(DRM), 650V V(RRM), 1 Element, TO-220AB, PLASTIC, TO-220F, FULL PACK-3
2N1772A	SSDI	Silicon Controlled Rectifier, 7.4A I(T)RMS, 4700mA I(T), 100V V(DRM), 1 Element, TO-64, TO-64, 2 PIN
2N1776A	Advanced Semiconductor, Inc.	Silicon Controlled Rectifier, 7.4A I(T)RMS, 4700mA I(T), 300V V(DRM), 1 Element, TO-64, TO-64, 2 PIN
2N879	Advanced Semiconductor, Inc.	Silicon Controlled Rectifier, 0.55A I(T)RMS, 350mA I(T), 100V V(DRM), 1 Element, TO-18, TO-18, 3 PIN
2N1880	Digitron	Silicon Controlled Rectifier; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 200; Max TMS Bridge Input Voltage: 1.25; Max DC Reverse Voltage: 0.01; Capacitance: 3; Package: TO-5
C15F	Semitronics Corp	Silicon Controlled Rectifier, 8A I(T)RMS, 3000mA I(T), 50V V(DRM), 50V V(RRM), 1 Element, TO-64
MCR718	Central Semiconductor	SURFACE MOUNT SILICON CONTROLLED RECTIFIER 4 AMP, 400 THRU 600 VOLTS
2N2327	New Jersey Semiconductor	Thyristor SCR 250V 15A 3-Pin TO-39
C106E1	Central Semiconductor	4 A, 400 V, SCR, TO-202
2N1772	Semitronics Corp	Silicon Controlled Rectifier, 7.4A I(T)RMS, 4700mA I(T), 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element, TO-64
CS29-08IO1C	IXYS	Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, PLASTIC, ISOPLUS220, 3 PIN
S2025L	Littelfuse	SCRs 25A 200V

[转帖]提问的智慧---提问者必看(1): How To Ask Questions The Smart Way提问的智慧Copyright (C) 2001 by Eric S. Raymond中文版Copyleft 2001 by D.H.Grand(nOBODY/Ginux)英文版：[url]http://www.tuxedo.org/~esr/faqs/smart-questions.html[/url]感谢Eric的耐心指点和同意...; 呱呱聊聊、笑笑、闹闹

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