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27LV256-20/L

产品描述32K X 8 OTPROM, 200 ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
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文件大小79KB,共13页
制造商Microchip(微芯科技)
官网地址https://www.microchip.com
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27LV256-20/L概述

32K X 8 OTPROM, 200 ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32

27LV256-20/L规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码QFJ
包装说明PLASTIC, LCC-32
针数32
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
最长访问时间200 ns
其他特性DATA RETENTION >200 YEARS
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PQCC-J32
JESD-609代码e0
长度13.97 mm
内存密度262144 bi
内存集成电路类型OTP ROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装等效代码LDCC32,.5X.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3.3/5 V
编程电压13 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.56 mm
最大待机电流0.0001 A
最大压摆率0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度11.43 mm
Base Number Matches1

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27LV256
256K (32K x 8) Low-Voltage CMOS EPROM
FEATURES
• Wide voltage range 3.0V to 5.5V
• High speed performance
- 200 ns access time available at 3.0V
• CMOS Technology for low power consumption
- 8 mA Active current at 3.0V
- 20 mA Active current at 5.5V
- 100
µ
A Standby current
• Factory programming available
• Auto-insertion-compatible plastic packages
• Auto ID aids automated programming
• Separate chip enable and output enable controls
• High speed “Express” programming algorithm
• Organized 32K x 8: JEDEC standard pinouts
- 28-pin Dual-in-line package
- 32-pin PLCC package
- 28-pin SOIC package
- Tape and reel
• Data Retention > 200 years
• Available for the following temperature ranges:
- Commercial:
0˚C to +70˚C
- Industrial:
-40˚C to +85˚C
PACKAGE TYPES
PDIP
V
PP
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O0
O1
O2
V
SS
•1
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28
27
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23
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19
18
17
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V
CC
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
O7
O6
O5
O4
O3
27LV256
32
31
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
O0
30
4
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1
A7
A12
V
PP
NU
Vcc
A14
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PLCC
A8
A9
A11
NC
OE
A10
CE
O7
O6
SOIC
V
PP
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
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O1
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V
CC
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
O7
O6
O5
O4
O3
DESCRIPTION
The Microchip Technology Inc. 27LV256 is a low volt-
age (3.0 volt) CMOS EPROM designed for battery pow-
ered applications. The device is organized as a 32K x
8 (32K-Byte) non-volatile memory product. The
27LV256 consumes only 8 mA maximum of active cur-
rent during a 3.0 volt read operation therefore improv-
ing battery performance. This device is designed for
very low voltage applications where conventional 5.0
volt only EPROMS can not be used. Accessing individ-
ual bytes from an address transition or from power-up
(chip enable pin going low) is accomplished in less than
200 ns at 3.0V. This device allows systems designers
the ability to use low voltage non-volatile memory with
today’s' low voltage microprocessors and peripherals in
battery powered applications.
A complete family of packages is offered to provide the
most flexibility in applications. For surface mount appli-
cations, PLCC or SOIC packaging is available. Tape
and reel packaging is also available for PLCC or SOIC
packages.
©
1998 Microchip Technology Inc.
O1
O2
V
SS
NU
O3
O4
O5
27LV256
27LV256
DS11020G-page 1

27LV256-20/L相似产品对比

27LV256-20/L 27LV256-20I/SO 27LV256-25I/SO 27LV256-25/P 27LV256-25/SO 27LV256-25I/P 27LV256-25/L 27LV256-20I/P
描述 32K X 8 OTPROM, 200 ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 32K X 8 OTPROM, 200 ns, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOIC-28 32K X 8 OTPROM, 250 ns, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOIC-28 32K X 8 OTPROM, 250 ns, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 32K X 8 OTPROM, 250 ns, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOIC-28 32K X 8 OTPROM, 250 ns, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 32K X 8 OTPROM, 250 ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 32K X 8 OTPROM, 200 ns, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 QFJ SOIC SOIC DIP SOIC DIP QFJ DIP
包装说明 PLASTIC, LCC-32 0.300 INCH, PLASTIC, SOIC-28 0.300 INCH, PLASTIC, SOIC-28 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 0.300 INCH, PLASTIC, SOIC-28 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 PLASTIC, LCC-32 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28
针数 32 28 28 28 28 28 32 28
Reach Compliance Code _compli _compli _compli _compli _compli _compli _compli _compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 200 ns 200 ns 250 ns 250 ns 250 ns 250 ns 250 ns 200 ns
其他特性 DATA RETENTION >200 YEARS DATA RETENTION >200 YEARS DATA RETENTION >200 YEARS DATA RETENTION >200 YEARS DATA RETENTION >200 YEARS DATA RETENTION >200 YEARS DATA RETENTION >200 YEARS DATA RETENTION >200 YEARS
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PQCC-J32 R-PDSO-G28 R-PDSO-G28 R-PDIP-T28 R-PDSO-G28 R-PDIP-T28 R-PQCC-J32 R-PDIP-T28
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
长度 13.97 mm 17.87 mm 17.87 mm 36.32 mm 17.87 mm 36.32 mm 13.97 mm 36.32 mm
内存密度 262144 bi 262144 bi 262144 bi 262144 bi 262144 bi 262144 bi 262144 bi 262144 bi
内存集成电路类型 OTP ROM OTP ROM OTP ROM OTP ROM OTP ROM OTP ROM OTP ROM OTP ROM
内存宽度 8 8 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 32 28 28 28 28 28 32 28
字数 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words
字数代码 32000 32000 32000 32000 32000 32000 32000 32000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 85 °C 85 °C 70 °C 70 °C 85 °C 70 °C 85 °C
组织 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 QCCJ SOP SOP DIP SOP DIP QCCJ DIP
封装等效代码 LDCC32,.5X.6 SOP28,.4 SOP28,.4 DIP28,.6 SOP28,.4 DIP28,.6 LDCC32,.5X.6 DIP28,.6
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE IN-LINE SMALL OUTLINE IN-LINE CHIP CARRIER IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 3.3/5 V 3.3/5 V 3.3/5 V 3.3/5 V 3.3/5 V 3.3/5 V 3.3/5 V 3.3/5 V
编程电压 13 V 13 V 13 V 13 V 13 V 13 V 13 V 13 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 3.56 mm 2.64 mm 2.64 mm 4.83 mm 2.64 mm 4.83 mm 3.56 mm 4.83 mm
最大待机电流 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A
最大压摆率 0.02 mA 0.025 mA 0.025 mA 0.02 mA 0.02 mA 0.025 mA 0.02 mA 0.025 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES NO YES NO YES NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 J BEND GULL WING GULL WING THROUGH-HOLE GULL WING THROUGH-HOLE J BEND THROUGH-HOLE
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm
端子位置 QUAD DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL QUAD DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 11.43 mm 7.49 mm 7.49 mm 15.24 mm 7.49 mm 15.24 mm 11.43 mm 15.24 mm
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 1 1
求PCI接口协议规范
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