FIFO 2048 x 36 synch FIFO Memory
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | Texas Instruments |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | QFP |
| 包装说明 | LFQFP, QFP120,.63SQ,16 |
| 针数 | 120 |
| Reach Compliance Code | compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 11 ns |
| 其他特性 | MAILBOX |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 66.7 MHz |
| 周期时间 | 15 ns |
| JESD-30 代码 | S-PQFP-G120 |
| JESD-609代码 | e4 |
| 长度 | 14 mm |
| 内存密度 | 73728 bi |
| 内存集成电路类型 | BI-DIRECTIONAL FIFO |
| 内存宽度 | 36 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 120 |
| 字数 | 2048 words |
| 字数代码 | 2000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 2KX36 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 可输出 | YES |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | LFQFP |
| 封装等效代码 | QFP120,.63SQ,16 |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.6 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 0.4 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 14 mm |
| SN74ACT3651-15PCB | SN74ACT3651-15PQ | SN74ACT3651-20PCB | |
|---|---|---|---|
| 描述 | FIFO 2048 x 36 synch FIFO Memory | FIFO 2048 x 36 synch FIFO Memory | FIFO 2048 x 36 synch FIFO Memory |
| Brand Name | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments |
| 是否无铅 | 不含铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | QFP | QFP | QFP |
| 包装说明 | LFQFP, QFP120,.63SQ,16 | BQFP, SPQFP132,1.1SQ | LFQFP, QFP120,.63SQ,16 |
| 针数 | 120 | 132 | 120 |
| Reach Compliance Code | compli | compli | compli |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 11 ns | 11 ns | 13 ns |
| 其他特性 | MAILBOX | MAILBOX | MAILBOX |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 66.7 MHz | 66.7 MHz | 50 MHz |
| 周期时间 | 15 ns | 15 ns | 20 ns |
| JESD-30 代码 | S-PQFP-G120 | S-PQFP-G132 | S-PQFP-G120 |
| JESD-609代码 | e4 | e4 | e4 |
| 长度 | 14 mm | 24.13 mm | 14 mm |
| 内存密度 | 73728 bi | 73728 bi | 73728 bi |
| 内存集成电路类型 | BI-DIRECTIONAL FIFO | BI-DIRECTIONAL FIFO | BI-DIRECTIONAL FIFO |
| 内存宽度 | 36 | 36 | 36 |
| 湿度敏感等级 | 3 | 4 | 3 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 120 | 132 | 120 |
| 字数 | 2048 words | 2048 words | 2048 words |
| 字数代码 | 2000 | 2000 | 2000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 2KX36 | 2KX36 | 2KX36 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 可输出 | YES | YES | YES |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | LFQFP | BQFP | LFQFP |
| 封装等效代码 | QFP120,.63SQ,16 | SPQFP132,1.1SQ | QFP120,.63SQ,16 |
| 封装形状 | SQUARE | SQUARE | SQUARE |
| 封装形式 | FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH | FLATPACK, BUMPER | FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | 260 | 260 |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.6 mm | 4.57 mm | 1.6 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
| 端子节距 | 0.4 mm | 0.635 mm | 0.4 mm |
| 端子位置 | QUAD | QUAD | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 14 mm | 24.13 mm | 14 mm |
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