25LC256T-E/MFG,25LC256T-E/MFG pdf中文资料,25LC256T-E/MFG引脚图,25LC256T-E/MFG电路-Datasheet-电子工程世界

25LC256T-E/MFG: 产品描述32K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 6 X 5 MM, PLASTIC, DFN-8; 产品类别存储存储; 文件大小384KB，共24页; 制造商Microchip(微芯科技); 官网地址https://www.microchip.com; 标准

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25LC256T-E/MFG概述

32K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 6 X 5 MM, PLASTIC, DFN-8

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	DFN
包装说明	6 X 5 MM, PLASTIC, DFN-8
针数	8
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
最大时钟频率 (fCLK)	10 MHz
数据保留时间-最小值	200
耐久性	1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-PDSO-N8
JESD-609代码	e3
长度	5.99 mm
内存密度	262144 bi
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	8
字数	32768 words
字数代码	32000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	32KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	VSON
封装等效代码	SOLCC8,.25
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
并行/串行	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	3/5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1 mm
串行总线类型	SPI
最大待机电流	0.000001 A
最大压摆率	0.005 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	2.5 V
标称供电电压 (Vsup)	4.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	AUTOMOTIVE
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40
宽度	4.92 mm
最长写入周期时间 (tWC)	5 ms
写保护	HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches	1

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