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CC1110F16RHHR

产品描述Sub-1 GHz wireless MCU with up to 32 kB Flash memory 36-VQFN -40 to 85
产品类别嵌入式处理器和控制器    微控制器和处理器   
文件大小4MB,共249页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
标准
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CC1110F16RHHR概述

Sub-1 GHz wireless MCU with up to 32 kB Flash memory 36-VQFN -40 to 85

CC1110F16RHHR规格参数

参数名称属性值
Brand NameTexas Instruments
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明HVQCCN, LCC36,.24SQ,20
Reach Compliance Codecompliant
Is SamacsysN
具有ADCYES
地址总线宽度
位大小8
边界扫描NO
CPU系列8051
最大时钟频率27 MHz
DAC 通道NO
DMA 通道YES
外部数据总线宽度
格式FIXED POINT
集成缓存YES
JESD-30 代码S-PQCC-N36
JESD-609代码e4
长度6 mm
低功率模式YES
湿度敏感等级3
DMA 通道数量5
外部中断装置数量18
I/O 线路数量21
端子数量36
计时器数量4
片上数据RAM宽度8
片上程序ROM宽度16
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
PWM 通道YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码HVQCCN
封装等效代码LCC36,.24SQ,20
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)260
RAM(字节)2048
RAM(字数)2048
ROM(单词)8192
ROM可编程性FLASH
座面最大高度1 mm
速度27 MHz
最大供电电压3.6 V
最小供电电压2 V
标称供电电压3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式NO LEAD
端子节距0.5 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度6 mm
uPs/uCs/外围集成电路类型MICROCONTROLLER
Base Number Matches1

CC1110F16RHHR相似产品对比

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描述 Sub-1 GHz wireless MCU with up to 32 kB Flash memory 36-VQFN -40 to 85 Sub-1 GHz wireless MCU with up to 32 kB Flash memory 36-VQFN -40 to 85 Sub-1 GHz wireless MCU with up to 32 kB Flash memory 36-VQFN -40 to 85 Sub-1 GHz wireless MCU with up to 32 kB Flash memory 36-VQFN -40 to 85
Brand Name Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
包装说明 HVQCCN, LCC36,.24SQ,20 HVQCCN, LCC36,.24SQ,20 HVQCCN, LCC36,.24SQ,20 HVQCCN, LCC36,.24SQ,20
Reach Compliance Code compliant compliant compli compli
具有ADC YES YES YES YES
位大小 8 8 8 8
边界扫描 NO NO NO NO
CPU系列 8051 8051 8051 8051
最大时钟频率 27 MHz 27 MHz 27 MHz 27 MHz
DAC 通道 NO NO NO NO
DMA 通道 YES YES YES YES
格式 FIXED POINT FIXED POINT FIXED POINT FIXED POINT
集成缓存 YES YES YES YES
JESD-30 代码 S-PQCC-N36 S-PQCC-N36 S-PQCC-N36 S-PQCC-N36
JESD-609代码 e4 e4 e4 e4
长度 6 mm 6 mm 6 mm 6 mm
低功率模式 YES YES YES YES
湿度敏感等级 3 3 3 3
DMA 通道数量 5 5 5 5
外部中断装置数量 18 18 18 18
I/O 线路数量 21 21 21 21
端子数量 36 36 36 36
计时器数量 4 4 4 4
片上数据RAM宽度 8 8 8 8
片上程序ROM宽度 16 16 16 16
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
PWM 通道 YES YES YES YES
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 HVQCCN HVQCCN HVQCCN HVQCCN
封装等效代码 LCC36,.24SQ,20 LCC36,.24SQ,20 LCC36,.24SQ,20 LCC36,.24SQ,20
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260 260
RAM(字节) 2048 4096 1024 2048
RAM(字数) 2048 4096 1024 2048
ROM(单词) 8192 16384 4096 8192
ROM可编程性 FLASH FLASH FLASH FLASH
座面最大高度 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm
速度 27 MHz 27 MHz 27 MHz 27 MHz
最大供电电压 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 2 V 2 V 2 V 2 V
标称供电电压 3 V 3 V 3 V 3 V
表面贴装 YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm
端子位置 QUAD QUAD QUAD QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 6 mm 6 mm 6 mm 6 mm
uPs/uCs/外围集成电路类型 MICROCONTROLLER MICROCONTROLLER MICROCONTROLLER MICROCONTROLLER
Base Number Matches 1 1 1 1

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