HY57V161610ETP-55I,HY57V161610ETP-55I pdf中文资料,HY57V161610ETP-55I引脚图,HY57V161610ETP-55I电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HY57V161610ETP-55I

HY57V161610ETP-55I: 产品描述Synchronous DRAM, 1MX16, 5ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.825 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-50; 产品类别存储存储; 文件大小72KB，共13页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/; 标准

下载文档详细参数选型对比全文预览

HY57V161610ETP-55I概述

Synchronous DRAM, 1MX16, 5ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.825 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-50

HY57V161610ETP-55I规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	TSOP2
包装说明	TSOP2, TSOP50,.46,32
针数	50
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间	5 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	183 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	1,2,4,8
JESD-30 代码	R-PDSO-G50
JESD-609代码	e6
长度	20.968 mm
内存密度	16777216 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	16
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	50
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	1MX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2
封装等效代码	TSOP50,.46,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	1,2,4,8,FP
最大待机电流	0.001 A
最大压摆率	0.13 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3.15 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.8 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	20
宽度	10.16 mm

HY57V161610ETP-55I相似产品对比

	HY57V161610ETP-55I	HY57V161610ETP-7I	HY57V161610ETP-15I	HY57V161610ETP-10I	HY57V161610ETP-6I	HY57V161610ETP-8I	HY57V161610ETP-5I
描述	Synchronous DRAM, 1MX16, 5ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.825 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-50	Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.825 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-50	Synchronous DRAM, 1MX16, 7ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.825 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-50	Synchronous DRAM, 1MX16, 7ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.825 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-50	Synchronous DRAM, 1MX16, 5.5ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.825 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-50	Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.825 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-50	Synchronous DRAM, 1MX16, 4.5ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.825 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-50
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2
包装说明	TSOP2, TSOP50,.46,32	TSOP2, TSOP50,.46,32	TSOP2, TSOP50,.46,32	TSOP2, TSOP50,.46,32	TSOP2, TSOP50,.46,32	TSOP2, TSOP50,.46,32	TSOP2, TSOP50,.46,32
针数	50	50	50	50	50	50	50
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间	5 ns	6 ns	7 ns	7 ns	5.5 ns	6 ns	4.5 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	183 MHz	143 MHz	66 MHz	100 MHz	166 MHz	125 MHz	200 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
交错的突发长度	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8
JESD-30 代码	R-PDSO-G50	R-PDSO-G50	R-PDSO-G50	R-PDSO-G50	R-PDSO-G50	R-PDSO-G50	R-PDSO-G50
JESD-609代码	e6	e6	e6	e6	e6	e6	e6
长度	20.968 mm	20.968 mm	20.968 mm	20.968 mm	20.968 mm	20.968 mm	20.968 mm
内存密度	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	16	16	16	16	16	16	16
功能数量	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	50	50	50	50	50	50	50
字数	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words
字数代码	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	1MX16	1MX16	1MX16	1MX16	1MX16	1MX16	1MX16
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2
封装等效代码	TSOP50,.46,32	TSOP50,.46,32	TSOP50,.46,32	TSOP50,.46,32	TSOP50,.46,32	TSOP50,.46,32	TSOP50,.46,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	260	260	260
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	4096	4096	4096	4096	4096	4096	4096
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
连续突发长度	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP
最大待机电流	0.001 A	0.001 A	0.001 A	0.001 A	0.001 A	0.001 A	0.001 A
最大压摆率	0.13 mA	0.11 mA	0.1 mA	0.11 mA	0.12 mA	0.11 mA	0.13 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3.15 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3.15 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	20	20	20	20	20	20	20
宽度	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm

推荐资源

双5V供电MOS管切换电路分析: 如下图所示，要求J1、J2为5V输入，J3为5V输出。当J1输入5V时，Q1、Q2导通，J3输出5V；当J2输入5V时，Q3、Q4导通，J3输出5V。现在此电路存在一个问题，当J1和J2同时接入5V时，Q1和Q2导通，J3输出5V；再断开J1的5V，此时J3输出只有4V左右了。目前的办法是R1并联一个容值105以上的电容。请问各位大神有没有好的解决办法，单片机控制就算了，板框所限放不下单片机。...; TOPU 模拟电子

T6963C断电之后重新上电不显示的问题: 我用STM32F103VCT6驱动T6963C，可以显示了。可是断电重新上电就不显示了，必须重新烧写一次才显示。我特意在主循环里加了个闪灯程序，灯可以闪，说明程序运行了。请问高手，哪里的问题？如何解决？谢谢！...; chenbingjy stm32/stm8

嵌入式编程知识点： “static, const, volatile”, “绝对地址访问”, “死循环”小结: [i=s] 本帖最后由 wsdymg 于 2018-6-27 08:16 编辑 [/i][align=left][font=Helvetica,][color=Black][b]static:[/b][/color][/font][/align][list=1][*][color=Black]在函数体内，一个被声明为静态的变量在这一函数被调用过程中维持其值不变.[/color][*][color=...; wsdymg 嵌入式系统

【转】有一种念想，安静而绚烂……: 三月的阳光并不炽热，相反的，是那种淡淡的、浅浅的、暖暖的、很柔和、很美丽。洒在为数不多的绿叶上，反射出一丝丝的光，但却不刺眼，是温柔的。而时光里那些浅浅吟唱，就似那阳光，很舒心……　　一个人坐在咖啡厅的角落里，静静地等待时间的流逝，窗外是一地的阳光和温和的风，而咖啡厅里却是温情的空气和舒缓的音乐，一面玻璃就把世界分隔开来，就像一张皮囊分隔了两颗心一样。　　寂寞的人好像都在等待另一个人的出现，而我却...; huixun001 聊聊、笑笑、闹闹

FPGA的下载问题: 我最近在使用 altera 的Cyclone EP2C8，在用JTAG口下载程序时出现错误！使用quartusII打开programmer，点击start按钮，出现以下错误：Error: Can't access JTAG chainError: Operation failed请高手们发表意见！...; lincc 嵌入式系统

NB-IoT 是应用于智能抄表的最优方案么？: [size=5]目前 NB-IoT 势头正猛，专门应用于 [color=#191919][font=]无需移动性，小数据量，对时延不敏感的应用，[/font][/color][color=#191919][font=]首先想到的就是智能抄表，[/font][/color][color=#191919][font=]而芯片商也在预期，智能抄表将是 NB-IoT2018年的主要爆发点之一。[/fon...; john_wang RF/无线

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多