HY57V161610ETP-10I,HY57V161610ETP-10I pdf中文资料,HY57V161610ETP-10I引脚图,HY57V161610ETP-10I电路-Datasheet-电子工程世界

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HY57V161610ETP-10I: 产品描述Synchronous DRAM, 1MX16, 7ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.825 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-50; 产品类别存储存储; 文件大小72KB，共13页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/; 标准

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HY57V161610ETP-10I概述

Synchronous DRAM, 1MX16, 7ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.825 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-50

HY57V161610ETP-10I规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	TSOP2
包装说明	TSOP2, TSOP50,.46,32
针数	50
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间	7 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	100 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	1,2,4,8
JESD-30 代码	R-PDSO-G50
JESD-609代码	e6
长度	20.968 mm
内存密度	16777216 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	16
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	50
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	1MX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2
封装等效代码	TSOP50,.46,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	1,2,4,8,FP
最大待机电流	0.001 A
最大压摆率	0.11 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.8 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	20
宽度	10.16 mm

HY57V161610ETP-10I相似产品对比

	HY57V161610ETP-10I	HY57V161610ETP-7I	HY57V161610ETP-15I	HY57V161610ETP-6I	HY57V161610ETP-55I	HY57V161610ETP-8I	HY57V161610ETP-5I
描述	Synchronous DRAM, 1MX16, 7ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.825 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-50	Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.825 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-50	Synchronous DRAM, 1MX16, 7ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.825 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-50	Synchronous DRAM, 1MX16, 5.5ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.825 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-50	Synchronous DRAM, 1MX16, 5ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.825 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-50	Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.825 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-50	Synchronous DRAM, 1MX16, 4.5ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.825 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-50
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2
包装说明	TSOP2, TSOP50,.46,32	TSOP2, TSOP50,.46,32	TSOP2, TSOP50,.46,32	TSOP2, TSOP50,.46,32	TSOP2, TSOP50,.46,32	TSOP2, TSOP50,.46,32	TSOP2, TSOP50,.46,32
针数	50	50	50	50	50	50	50
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间	7 ns	6 ns	7 ns	5.5 ns	5 ns	6 ns	4.5 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	100 MHz	143 MHz	66 MHz	166 MHz	183 MHz	125 MHz	200 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
交错的突发长度	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8
JESD-30 代码	R-PDSO-G50	R-PDSO-G50	R-PDSO-G50	R-PDSO-G50	R-PDSO-G50	R-PDSO-G50	R-PDSO-G50
JESD-609代码	e6	e6	e6	e6	e6	e6	e6
长度	20.968 mm	20.968 mm	20.968 mm	20.968 mm	20.968 mm	20.968 mm	20.968 mm
内存密度	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	16	16	16	16	16	16	16
功能数量	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	50	50	50	50	50	50	50
字数	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words
字数代码	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	1MX16	1MX16	1MX16	1MX16	1MX16	1MX16	1MX16
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2
封装等效代码	TSOP50,.46,32	TSOP50,.46,32	TSOP50,.46,32	TSOP50,.46,32	TSOP50,.46,32	TSOP50,.46,32	TSOP50,.46,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	260	260	260
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	4096	4096	4096	4096	4096	4096	4096
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
连续突发长度	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP
最大待机电流	0.001 A	0.001 A	0.001 A	0.001 A	0.001 A	0.001 A	0.001 A
最大压摆率	0.11 mA	0.11 mA	0.1 mA	0.12 mA	0.13 mA	0.11 mA	0.13 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3.15 V	3 V	3.15 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	20	20	20	20	20	20	20
宽度	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm

HY57V161610ETP-10I

HY57V161610ETP-10I概述

HY57V161610ETP-10I规格参数

HY57V161610ETP-10I相似产品对比

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