EDI8F3265C55MZC,EDI8F3265C55MZC pdf中文资料,EDI8F3265C55MZC引脚图,EDI8F3265C55MZC电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> EDI8F3265C55MZC

EDI8F3265C55MZC: 产品描述SRAM Module, 64KX32, 55ns, CMOS, MODULE, ZIP-64; 产品类别存储存储; 文件大小188KB，共8页; 制造商EDI [Electronic devices inc.]

下载文档详细参数选型对比全文预览

EDI8F3265C55MZC概述

SRAM Module, 64KX32, 55ns, CMOS, MODULE, ZIP-64

EDI8F3265C55MZC规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	EDI [Electronic devices inc.]
包装说明	MODULE, ZIP-64
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	55 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XZMA-T64
JESD-609代码	e0
内存密度	2097152 bit
内存集成电路类型	SRAM MODULE
内存宽度	32
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	64
字数	65536 words
字数代码	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	64KX32
输出特性	3-STATE
可输出	YES
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	ZIP
封装等效代码	ZIP64/68,.1,.1
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	14.732 mm
最大待机电流	0.16 A
最小待机电流	4.5 V
最大压摆率	0.98 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	1.27 mm
端子位置	ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

EDI8F3265C55MZC相似产品对比

	EDI8F3265C55MZC	EDI8F3265C30MZC	EDI8F3265C55MZI	EDI8F3265C30MMC	EDI8F3265C30MMI	EDI8F3265C55MMC	EDI8F3265C55MMI	EDI8F3265C30MZI
描述	SRAM Module, 64KX32, 55ns, CMOS, MODULE, ZIP-64	SRAM Module, 64KX32, 30ns, CMOS, MODULE, ZIP-64	SRAM Module, 64KX32, 55ns, CMOS,	SRAM Module, 64KX32, 30ns, CMOS, SIMM-64	SRAM Module, 64KX32, 30ns, CMOS,	SRAM Module, 64KX32, 55ns, CMOS, SIMM-64	SRAM Module, 64KX32, 55ns, CMOS,	SRAM Module, 64KX32, 30ns, CMOS,
厂商名称	EDI [Electronic devices inc.]	EDI [Electronic devices inc.]	EDI [Electronic devices inc.]	EDI [Electronic devices inc.]	EDI [Electronic devices inc.]	EDI [Electronic devices inc.]	EDI [Electronic devices inc.]	EDI [Electronic devices inc.]
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
最长访问时间	55 ns	30 ns	55 ns	30 ns	30 ns	55 ns	55 ns	30 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XZMA-T64	R-XZMA-T64	R-XZMA-T64	R-XSMA-N64	R-XSMA-N64	R-XSMA-N64	R-XSMA-N64	R-XZMA-T64
内存密度	2097152 bit	2097152 bit	2097152 bit	2097152 bit	2097152 bit	2097152 bit	2097152 bit	2097152 bit
内存集成电路类型	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE
内存宽度	32	32	32	32	32	32	32	32
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	64	64	64	64	64	64	64	64
字数	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words
字数代码	64000	64000	64000	64000	64000	64000	64000	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	85 °C	70 °C	85 °C	70 °C	85 °C	85 °C
组织	64KX32	64KX32	64KX32	64KX32	64KX32	64KX32	64KX32	64KX32
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
可输出	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	ZIP	ZIP	ZIP	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM	ZIP
封装等效代码	ZIP64/68,.1,.1	ZIP64/68,.1,.1	ZIP64/68,.1,.1	SSIM64	SSIM64	SSIM64	SSIM64	ZIP64/68,.1,.1
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	14.732 mm	14.732 mm	14.732 mm	13.335 mm	13.335 mm	13.335 mm	13.335 mm	14.732 mm
最大待机电流	0.16 A	0.16 A	0.16 A	0.16 A	0.16 A	0.16 A	0.16 A	0.16 A
最小待机电流	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
最大压摆率	0.98 mA	0.98 mA	0.98 mA	0.98 mA	0.98 mA	0.98 mA	0.98 mA	0.98 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	THROUGH-HOLE
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	ZIG-ZAG	ZIG-ZAG	ZIG-ZAG	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	ZIG-ZAG

推荐资源

跨时钟域设计问题: 设计时，碰到了两个时钟，CLK1和CLK2。其中CLK1为外部时钟，CLK2为内部时钟。现在比如我们不知道两个时钟之间的关系（就是两个时钟的频率比的值都有可能，没有确定的关系，可能CLK1是CLK2的10倍，或者CLK2是CLK1的10倍等等关系）。现在我要把CLK1信号引进内部模块（就是CLK2的模块）来，我怎么设计，才能保证CLK2的所在的模块一定能采集到CLK1？...; eeleader FPGA/CPLD

南华大学黄智伟系列--数模混合系统的接地处理: [i=s] 本帖最后由 paulhyde 于 2014-9-15 03:36 编辑 [/i]地线是什么？在培训过程中，经常可以碰到学生在使用ADC或者DAC时，一个十分纠结的问题：数字地和模拟地如何处理？不同的资料，有各种说法。下面根据我的理解，做一些解释：在教科书上所谓的“地”（Ground），一般定义为电路或系统的零电位参考点，直流电压的零电位点或者零电位面，它不一定是实际的大地，可以是设备的...; 小煜电子竞赛

有谁用过TM4C123GH6PM做过异步电机矢量控制？: 谁能提供TM4C123GH6PM异步电机矢量控制的代码，有偿！...; wangll1037 微控制器 MCU

关于arm2410于java的结合问题: 小弟最近想做一下关于arm2410于java结合方面的论文，但苦于对arm了解甚少，不知道java是否可在arm上很好的搭建，两者结合起来做哪方面的比较好？以及java于c++相比到底优势在哪里？那位仁兄有好的idear可以分享一下！！...; qiushui007 ARM技术

LED灯相对于普通灯泡的优势及其散热管理: LED灯相对于普通灯泡有哪些优点　　1、节能，比传统白炽灯节电80%以上，相同功率下亮度是白炽灯的10倍；　　2、寿命超长，50,000小时以上，是传统钨丝灯的50倍以上；　　3、没有有害气体，如汞；　　4、没有任何射线，如紫外线；　　5、抗震性能好，结构稳定；　　6、工作电压低，安全可靠。表面温度≤60℃（环境温度Ta=25℃时）；　　7、发光效率可高达801m/w,多种色温可选，显色指数高，显...; 探路者 LED专区

红外温度传感器前面为什么要加透镜: 看市面的红外测温仪产品，在温度传感器前面为什么一段拉长的黑色圆筒形，里面还要要加透镜，是为了测量更远吗...; 肖柳子传感器

7种最受欢迎的信息娱乐配置

曾经，汽车上没有电子系统。发动机还拥有化油器并采用机械点火。那时车内没有收音机、没有天气预报。当然，如果司机想获知车外温度也行，只需要摇下车窗。如今，汽车中配备了一系列令人眼花缭乱的配置。大部分配置可用现在流行的“信息娱乐”一词来定义。车内技术种类繁多，没有任何一家车企或零部件商能够提供所有的配置，他们各自有其擅长的领域，用户可以根据自己的需求选择相应的功能，以下列出了...[详细]
氢动力火车实现了燃料电池与智能锂电池的创新组合

　　德国高性能锂离子电池系统制造商Akasol将为阿尔斯通的Coradia iLint氢动力列车提供电池系统。　　Akasol公司的AKASytem AKM POC电池系统将为氢动力列车提供关键的动态存储组件，为电动发动机提供动力。　　每一辆Coradia iLint氢动力列车都配备了两个高性能智能锂电池系统，总容量为220kWh。　　Akasol首席执行官...[详细]
毕业设计| 【开源】自制下推式磁悬浮

本项目使用到的硬件有： ✔ 铁氧体磁铁：规格为外径100mm,内径60mm,高15mm ✔ 线圈：PCB可兼容两种线圈规格：大线径直径21mm，高22mm，内径9mm，直接电阻约为3.2欧姆，3mm螺纹孔小线径直径19mm，高12mm，内径8mm，直流电阻约为4.2欧姆，3mm螺纹孔 ✔ 浮子必须使用强磁钕铁硼：大线径测试中使用了两块，D40*H5mm + D30*H5mm 小线...[详细]
高通处理器原生支援　无线充电商机全面爆发

无线充电市场规模将迅速壮大。继A4WP与PMA两大无线充电标准联盟宣布合并后，高通(Qualcomm)也在国际消费性电子展(CES)公开表示，将于新款处理器中内建无线充电；而英特尔(Intel)亦将为采用新一代Cherry Trail处理器的装置增添无线充电功能。这些进展不仅有助消弭标准分歧问题，更可大幅提升手机、平板内建无线充电的比例，让应用市场更加蓬勃。高通资深产品行销经理Geo...[详细]
海关总署发布一季度彩电出口数据：增收不增量

彩电业增量不增收局面正在发生逆转。4月25日，海关总署发布的最新数据显示，1-3月我国彩电累计出口1423万台，同比下降3.5%；累计出口金额1653416万元，同比增长17.5%。国内市场，奥维云网最新发布数据显示，一季度，国内彩电市场零售量1179万台，同比下降5.2%，零售额规模达389亿元，同比增长1.8%。这也是近年来，中国彩电业首度在国内外市场上双双实现销售额同比正...[详细]
华为发力印度手机市场欲在明年占据10%份额

　　据印度《金融快报》1月18日报道，全球第三大智能手机制造商华为，将计划在印度开设荣耀体验店。下面就随手机便携新子不用去了了解一下相关内容吧。华为发力印度手机市场欲在明年占据10%份额　　并且，华为欲在2019年占据印度10%的手机市场份额。与此同时，本地化生产水平将能够满足印度80%的市场销售需求。　　印度是华为一个重要的市场，华为公司表示将努力成为一个在印...[详细]
中国芯离了美国不行?专家解读中兴被制裁三大热点

日前，美国商务部宣布对中兴通讯采取出口管制措施，国内产业界十分关注。这一事件会不会阻碍我国高技术产业快速发展？我们如何应对各种冲击？人民日报记者采访了工业和信息化部有关负责人及行业专家。　　出口管制不会阻碍中国高技术产业快速发展步伐　　国家发改委宏观经济研究院常务副院长王昌林表示，美国商务部宣布对中兴通讯采取出口管制措施，将对我国高技术产业发展带来一定影响，但不会阻碍中国高技术...[详细]
PS501的内部结构图

　　PS501的内部结构图如下图所示。　　主要内部结构介绍如下：　　处理器内核/存储器　　PS501采用了PIC18 8位RISC单片机内核，其存储器资源包括16KB 闪存，以及256Byte EEPROM，分别用于存储程序/数据和参数。这两种存储器均可通过SMBus接口进行重新编程，而不需要特别的编程接口。每片PS501在出厂前都已经烧录好Boot loader程序，针对不同型号用电设...[详细]
三菱为电动车研发＂充电宝＂续航里程翻倍

目前许多汽车厂商研发新的技术以提升电动车续航里程这一重要指标，如丰田研发氢燃料电池，特斯拉则依靠建立超级充电站，三菱则采取与东芝共同研发无线充电技术的方式提升续航里程。近日，网通社从《日经技术在线》了解到：东芝公司已开发出可实现无线充电的受电线圈等部件组成的受电板，其输出功率是有线充电系统的2倍以上。这套装置将达到智能手机充电宝类似的效果，为电动车充电提供更大的便利，续航里程也将有望实...[详细]
第二代谷歌智能眼镜将亮相充满极客范

一说起Google家的可穿戴设备，或许大家都会想起之前半死不活的Google Glass。首先是产品研发过于缓慢，迟迟无法推出正式的消费者版本，其次第一代Google Glass，也引发了极大的争议。许多电影院、酒吧等商户，干脆禁止客人佩戴Google Glass，主要是担心其拍摄功能侵犯客人的隐私。去年I/O大会上，Google 给现场开发者每人送了一个 Google Card...[详细]
一起DCS程序下装引起的设备事故分析

1引言随着企业生产变化，方大特钢4500nm3/h制氧由最初定位的过渡机组变成了主力机组，为提高该制氧机组运行的性能，2010年1月对该机组控制系统实施了全面改造，由常规仪表结合小型plc控制改为dcs系统控制，所采用的dcs系统为hollias-macs系统，所有控制信号点均进入dcs系统，经过1个余月时间安装、调试，完成了改造工程。实现了：空压机、膨胀机、氧压机、氮压机启停自动控制及联锁，分...[详细]
2016研华嵌入式技术论坛成都场圆满落幕

2016年6月23日，智能系统领导品牌研华科技在成都凯宾斯基饭店举办主题为携手物联网平台联盟，打造创新商业时代 2016研华嵌入式技术论坛。本次会议，除了与客户分享最新嵌入式产品技术、物联网应用创新、软硬件运用整合外，更从感知层、平台整合到云服务，展现研华完整的物联网服务生态系统。希望借助开放性标准M2.COM、IoT Gateway Starter Kit等创新物联网解决方案，协助客户快速整...[详细]
IDC：晶圆代工产能预计Q3缓解，供应链限制在于封测和材料环节

IDC预测，2022年全球半导体营收将达到6610亿美元，同比增长13.7%，继2021年的5820亿美元后再创新高，2021年至2026年期间复合年增长率为4.93%。 IDC日前发布的《全球半导体技术和供应链情报》指出，2021年半导体产业在工业和汽车细分市场增长最为强劲，同比增长分别达到30.2%和26.7%，在5G智能手机、游戏机、无线基站、数据中心和可穿戴设备等市场增长也十分亮眼，ID...[详细]
单片机程序又跑飞?! 三种跑飞现象分析

在编写单片机程序的时候，由于中断服务程序写的不好，导致单片机程序总是跑飞，最后费了好长时间，花了很大功夫才找到问题原因，由此总结了单片机程序跑飞的三种现象、原因及解决方法。 1 数组越界/溢出现象：单片机程序在函数中运行时，总是在运行到函数末尾，要跳出函数时，程序跑飞。原因：数组越界（数组溢出），函数中定义的数组元素的个数小于程序中实际使用的数组元素的个数，例如在函数中定义了一个数组...[详细]
用于车库机械的稳压汽车电池充电器电路

如果您是汽车技术员、车辆技术员或汽车修理工，您可能会发现这种便宜但功能强大的汽车电池充电器电路非常方便，因为它可用于在一夜之间为所有类型的汽车和摩托车电池充电。该充电器特别适用于车库，因为它具有坚固且免维护的设计，使机械师无需太多预防措施即可使用它。唯一需要采取的预防措施是6 V和12V之间的电压选择，具体取决于电池。这种固态汽车电池充电器的另一个优点是，汽车修理工可以在将电池与充电器连...[详细]

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多