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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> MBR4045PT-E3
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MBR4045PT-E3

产品描述DIODE 40 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AD, PLASTIC, TO-3P, 3 PIN, Rectifier Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小55KB，共3页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准  
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MBR4045PT-E3概述

DIODE 40 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AD, PLASTIC, TO-3P, 3 PIN, Rectifier Diode

MBR4045PT-E3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码TO-247AD
包装说明R-PSFM-T3
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码TO-247AD
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流400 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流40 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压45 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子面层MATTE TIN
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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MBR4035PT thru MBR4060PT
Vishay Semiconductors
formerly General Semiconductor
Dual Schottky Barrier Rectifier
Features
TO-247AD (TO-3P)
0.245 (6.2)
0.225 (5.7)
0.645 (16.4)
0.625 (15.9)
0.323 (8.2)
0.313 (7.9)
0.203 (5.16)
0.193 (4.90)
0.078 REF
(1.98)
10
°
Reverse Voltage
35 to 60V
Forward Current
40A
30
0.170
(4.3)
0.840 (21.3)
0.820 (20.8)
0.142 (3.6)
0.138 (3.5)
10 TYP.
BOTH SIDES
1
2
3
0.086 (2.18)
0.076 (1.93)
1 REF.
BOTH
SIDES
0.118 (3.0)
0.108 (2.7)
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classifications 94V-0
• Dual rectifier construction, positive center-tap
• Metal silicon junction, majority carrier conduction
• Low power loss, high efficiency
• High current capability, low forward voltage drop
• High surge capability
• For use in low voltage, high frequency inverters,
free-wheeling, and polarity protection applications
• Guardring for overvoltage protection
• High temperature soldering guaranteed:
250°C/10 seconds, 0.17” (4.3mm) from case
0.127 (3.22)
0.160 (4.1)
0.140 (3.5)
0.795 (20.2)
0.775 (19.6)
0.117 (2.97)
PIN 1
PIN 3
Mechanical Data
Dimensions
in inches and
(millimeters)
PIN 2
CASE
0.030 (0.76)
0.020 (0.51)
0.225 (5.7)
0.205 (5.2)
0.048 (1.22)
0.044 (1.12)
Case:
JEDEC TO-247AD molded plastic body
Terminals:
Lead solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Polarity:
As marked
Mounting Position:
Any
Mounting Torque:
10 in-lbs max.
Weight:
0.2 oz., 5.6 g
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
Maximum Ratings & Thermal Characteristics
Parameter
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum working peak reverse voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current at T
C
= 125°C
Peak repetitive forward current per leg at T
C
=120°C
(rated V
R
, square wave, 20 KH
Z
)
Peak forward surge current, 8.3ms single
half sine-wave superimposed on rated load
(JEDEC Method)
Peak repetitive reverse surge current
(NOTE 1)
Symbol
MBR4035PT MBR4045PT MBR4050PT MBR4060PT
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
F(AV)
I
FRM
35
35
35
45
45
45
40
40
50
50
50
60
60
60
Unit
V
V
V
A
A
I
FSM
I
RRM
R
ΘJC
dv/dt
T
J
T
STG
2.0
400
1.0
1.2
10,000
– 65 to +150
– 65 to +175
A
A
°C/W
V/µs
°C
°C
Maximum thermal resistance from junction to case per leg
Voltage rate of change at (rated V
R
)
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Electrical Characteristics
Parameter
Maximum instantaneous
forward voltage per leg at:
(NOTE 2)
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
Symbol
MBR4035PT MBR4045PT MBR4050PT MBR4060PT
I
F
I
F
I
F
I
F
=
=
=
=
20A, T
C
20A, T
C
40A, T
C
40A, T
C
=
=
=
=
25°C
125°C
25°C
125°C
T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
0.70
0.60
0.80
0.75
1.0
100
0.72
0.62
–
–
Unit
V
F
V
Maximum instantaneous reverse current at
rated DC blocking voltage per leg
(NOTE 2)
Notes:
(1) 2.0µs pulse width, f = 1.0 KH
Z
(2) Pulse test: 300µs pulse width, 1% duty cycle
I
R
mA
Document Number 88679
07-Feb-02
www.vishay.com
1

MBR4045PT-E3相似产品对比

MBR4045PT-E3 MBR4050PT-E3 MBR4035PT-E3 MBR4060PT-E3
描述 DIODE 40 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AD, PLASTIC, TO-3P, 3 PIN, Rectifier Diode DIODE 40 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AD, PLASTIC, TO-3P, 3 PIN, Rectifier Diode DIODE 40 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AD, PLASTIC, TO-3P, 3 PIN, Rectifier Diode DIODE 40 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AD, PLASTIC, TO-3P, 3 PIN, Rectifier Diode
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世)
零件包装代码 TO-247AD TO-247AD TO-247AD TO-247AD
包装说明 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
针数 2 2 2 2
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用 EFFICIENCY EFFICIENCY EFFICIENCY EFFICIENCY
外壳连接 CATHODE CATHODE CATHODE CATHODE
配置 COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码 TO-247AD TO-247AD TO-247AD TO-247AD
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e3 e3 e3 e3
最大非重复峰值正向电流 400 A 400 A 400 A 400 A
元件数量 2 2 2 2
相数 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C
最大输出电流 40 A 40 A 40 A 40 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 45 V 50 V 35 V 60 V
表面贴装 NO NO NO NO
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY
端子面层 MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED

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