RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET, DIE-4
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | FUJITSU(富士通) |
零件包装代码 | DIE |
包装说明 | DIE-4 |
针数 | 4 |
Reach Compliance Code | unknown |
其他特性 | HIGH RELIABILITY |
配置 | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 12 V |
FET 技术 | HIGH ELECTRON MOBILITY |
最高频带 | K BAND |
JESD-30 代码 | R-XUUC-N4 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 4 |
工作模式 | DEPLETION MODE |
最高工作温度 | 175 °C |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | UNCASED CHIP |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
功耗环境最大值 | 1.15 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | UPPER |
晶体管元件材料 | GALLIUM ARSENIDE |
FLR016XP | FLR016XV | |
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描述 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET, DIE-4 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET, DIE-4 |
厂商名称 | FUJITSU(富士通) | FUJITSU(富士通) |
零件包装代码 | DIE | DIE |
包装说明 | DIE-4 | DIE-4 |
针数 | 4 | 4 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
其他特性 | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY |
配置 | SINGLE | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 12 V | 12 V |
FET 技术 | HIGH ELECTRON MOBILITY | HIGH ELECTRON MOBILITY |
最高频带 | K BAND | K BAND |
JESD-30 代码 | R-XUUC-N4 | R-XUUC-N4 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 4 | 4 |
工作模式 | DEPLETION MODE | DEPLETION MODE |
最高工作温度 | 175 °C | 175 °C |
封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | UNCASED CHIP | UNCASED CHIP |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
功耗环境最大值 | 1.15 W | 1.15 W |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | YES | YES |
端子形式 | NO LEAD | NO LEAD |
端子位置 | UPPER | UPPER |
晶体管元件材料 | GALLIUM ARSENIDE | GALLIUM ARSENIDE |
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