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FLR016XP

产品描述RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET, DIE-4
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小49KB,共4页
制造商FUJITSU(富士通)
官网地址http://edevice.fujitsu.com/fmd/en/index.html
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FLR016XP概述

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET, DIE-4

FLR016XP规格参数

参数名称属性值
厂商名称FUJITSU(富士通)
零件包装代码DIE
包装说明DIE-4
针数4
Reach Compliance Codeunknown
其他特性HIGH RELIABILITY
配置SINGLE
最小漏源击穿电压12 V
FET 技术HIGH ELECTRON MOBILITY
最高频带K BAND
JESD-30 代码R-XUUC-N4
元件数量1
端子数量4
工作模式DEPLETION MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式UNCASED CHIP
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值1.15 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
晶体管元件材料GALLIUM ARSENIDE

FLR016XP相似产品对比

FLR016XP FLR016XV
描述 RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET, DIE-4 RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET, DIE-4
厂商名称 FUJITSU(富士通) FUJITSU(富士通)
零件包装代码 DIE DIE
包装说明 DIE-4 DIE-4
针数 4 4
Reach Compliance Code unknown unknown
其他特性 HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY
配置 SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 12 V 12 V
FET 技术 HIGH ELECTRON MOBILITY HIGH ELECTRON MOBILITY
最高频带 K BAND K BAND
JESD-30 代码 R-XUUC-N4 R-XUUC-N4
元件数量 1 1
端子数量 4 4
工作模式 DEPLETION MODE DEPLETION MODE
最高工作温度 175 °C 175 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 UNCASED CHIP UNCASED CHIP
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
功耗环境最大值 1.15 W 1.15 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子位置 UPPER UPPER
晶体管元件材料 GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE

 
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