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LMV712IDGSTG4

产品描述Operational Amplifiers - Op Amps Low-Pwr Low-Noise Hi-Out RRIO Dual
产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小363KB,共13页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
标准
相似器件已查找到19个与LMV712IDGSTG4功能相似器件
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LMV712IDGSTG4概述

Operational Amplifiers - Op Amps Low-Pwr Low-Noise Hi-Out RRIO Dual

LMV712IDGSTG4规格参数

参数名称属性值
Brand NameTexas Instruments
是否无铅含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码MSOP
包装说明GREEN, PLASTIC, MSOP-10
针数10
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
架构VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)0.00013 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)0.000115 µA
标称共模抑制比80 dB
频率补偿YES
最大输入失调电压3200 µV
JESD-30 代码S-PDSO-G10
JESD-609代码e4
长度3 mm
低-偏置YES
低-失调NO
微功率NO
湿度敏感等级1
功能数量2
端子数量10
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装等效代码TSSOP10,.19,20
封装形状SQUARE
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
包装方法TAPE AND REEL
峰值回流温度(摄氏度)260
功率NO
电源2.7/5 V
可编程功率NO
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.1 mm
标称压摆率5 V/us
最大压摆率3.8 mA
供电电压上限5.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术BICMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽5000 kHz
最小电压增益6300
宽带NO
宽度3 mm
Base Number Matches1

LMV712IDGSTG4相似产品对比

LMV712IDGSTG4 LMV712IDGSRG4 LMV712IDGSR LMV712IDGST
描述 Operational Amplifiers - Op Amps Low-Pwr Low-Noise Hi-Out RRIO Dual Operational Amplifiers - Op Amps Low-Pwr Low-Noise Hi-Out RRIO Dual Operational Amplifiers - Op Amps Low-Pwr Low-Noise Hi-Out RRIO Dual Operational Amplifiers - Op Amps Low-Pwr Low-Noise Hi-Out RRIO Dual
Brand Name Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
零件包装代码 MSOP MSOP MSOP MSOP
包装说明 GREEN, PLASTIC, MSOP-10 GREEN, PLASTIC, MSOP-10 TSSOP, TSSOP10,.19,20 GREEN, PLASTIC, MSOP-10
针数 10 10 10 10
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
放大器类型 OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER
架构 VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB) 0.00013 µA 0.00013 µA 0.00013 µA 0.00013 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB) 0.000115 µA 0.000115 µA 0.000115 µA 0.000115 µA
标称共模抑制比 80 dB 80 dB 80 dB 80 dB
频率补偿 YES YES YES YES
最大输入失调电压 3200 µV 3200 µV 3200 µV 3200 µV
JESD-30 代码 S-PDSO-G10 S-PDSO-G10 S-PDSO-G10 S-PDSO-G10
JESD-609代码 e4 e4 e4 e4
长度 3 mm 3 mm 3 mm 3 mm
低-偏置 YES YES YES YES
低-失调 NO NO NO NO
微功率 NO NO NO NO
湿度敏感等级 1 1 1 1
功能数量 2 2 2 2
端子数量 10 10 10 10
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSSOP TSSOP TSSOP TSSOP
封装等效代码 TSSOP10,.19,20 TSSOP10,.19,20 TSSOP10,.19,20 TSSOP10,.19,20
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
包装方法 TAPE AND REEL TAPE AND REEL TAPE AND REEL TAPE AND REEL
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260 260
功率 NO NO NO NO
电源 2.7/5 V 2.7/5 V 2.7/5 V 2.7/5 V
可编程功率 NO NO NO NO
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.1 mm 1.1 mm 1.1 mm 1.1 mm
标称压摆率 5 V/us 5 V/us 5 V/us 5 V/us
最大压摆率 3.8 mA 3.8 mA 3.8 mA 3.8 mA
供电电压上限 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES YES
技术 BICMOS BICMOS BICMOS BICMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽 5000 kHz 5000 kHz 5000 kHz 5000 kHz
最小电压增益 6300 6300 6300 6300
宽带 NO NO NO NO
宽度 3 mm 3 mm 3 mm 3 mm
Is Samacsys N N - N
Base Number Matches 1 1 - 1

与LMV712IDGSTG4功能相似器件

器件名 厂商 描述
LMV712MM/NOPB Texas Instruments(德州仪器) 增益带宽积(GBP):5MHz 放大器组数:2 运放类型:General Purpose 各通道功耗:- 压摆率(SR):5 V/us 电源电压:2.7V ~ 5.5V 具有独立关断功能的低功耗、低噪声、高输出、RRIO 双路运算放大器
LMV712MMX/NOPB Texas Instruments(德州仪器) Low Pwr, Low Noise, High Output, RRIO Dual Op Amp w/ Independent Shutdown 10-VSSOP -40 to 85
LMV712Q1MMX/NOPB Texas Instruments(德州仪器) Automotive, Dual, Low Power, Low Noise, High Output, RRIO Op Amp with Shutdown 10-VSSOP -40 to 125
LMV712MM Texas Instruments(德州仪器) Low Pwr, Low Noise, High Output, RRIO Dual Op Amp w/ Independent Shutdown 10-VSSOP -40 to 85
LMV712IDGSR Texas Instruments(德州仪器) Operational Amplifiers - Op Amps Low-Pwr Low-Noise Hi-Out RRIO Dual
LMV712IDGST Texas Instruments(德州仪器) Operational Amplifiers - Op Amps Low-Pwr Low-Noise Hi-Out RRIO Dual
LMV712IDGSRG4 Texas Instruments(德州仪器) Operational Amplifiers - Op Amps Low-Pwr Low-Noise Hi-Out RRIO Dual
OPA2330AIDR Texas Instruments(德州仪器) 增益带宽积(GBP):350kHz 放大器组数:2 运放类型:Zero-Drift 各通道功耗:21uA 压摆率(SR):0.16 V/us 电源电压:1.8V ~ 5.5V, ±0.9V ~ 2.75V
OPA2330AID Texas Instruments(德州仪器) 1.8V, 35μA, microPower, Precision, Zero Drift CMOS Op Amp 8-SOIC -40 to 125
OPA2333HD Texas Instruments(德州仪器) High Temperature 1.8-V Micropower CMOS Operational Amplifier Zero-Drift Series 8-SOIC -55 to 175
MC4558CDT ST(意法半导体)
OPA2322AIDR Texas Instruments(德州仪器) 20MHz, Low Noise, 1.8V RRIO, CMOS Operational Amplifier 8-SOIC -40 to 125
OPA2322AID Texas Instruments(德州仪器) 20MHz, Low Noise, 1.8V RRIO, CMOS Operational Amplifier 8-SOIC -40 to 125
ISL28230FBZ Renesas(瑞萨电子) Dual Micropower, Low Drift, RRIO Operational Amplifier; DFN8, MSOP8, SOIC8; Temp Range: See Datasheet
BU7242F-E2 ROHM(罗姆半导体) Operational Amplifiers - Op Amps Low Voltage 1.8-5.5V 10mA; 0.4 slew rate
ISL28230CBZ Renesas(瑞萨电子) Dual Micropower, Low Drift, RRIO Operational Amplifier; DFN8, MSOP8, SOIC8; Temp Range: See Datasheet
ISL28230CBZ-T7A Renesas(瑞萨电子) IC OPAMP GP 400KHZ RRO 8SOIC
ISL28230CBZ-T7 Renesas(瑞萨电子) Dual Micropower, Low Drift, RRIO Operational Amplifier; DFN8, MSOP8, SOIC8; Temp Range: See Datasheet
ISL28214FBZ Renesas(瑞萨电子) Dual General Purpose Micropower, RRIO Operational Amplifiers; MSOP8, SOIC8, SOT8; Temp Range: -40° to 125°C

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