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IS62C1024L-70Q

产品描述128K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, PDSO32
产品类别存储    存储   
文件大小61KB,共11页
制造商ISSI(芯成半导体)
官网地址http://www.issi.com/
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IS62C1024L-70Q概述

128K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, PDSO32

IS62C1024L-70Q规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ISSI(芯成半导体)
零件包装代码SOIC
包装说明0.450 INCH, PLASTIC, SOP-32
针数32
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间70 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G32
JESD-609代码e0
长度20.4285 mm
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
湿度敏感等级3
功能数量1
端口数量1
端子数量32
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP32,.56
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度3 mm
最大待机电流0.00025 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.07 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度11.303 mm
Base Number Matches1

IS62C1024L-70Q相似产品对比

IS62C1024L-70Q 62C1024L IS62C1024L IS62C1024L-35Q IS62C1024L-35QI IS62C1024L-35T IS62C1024L-35TI IS62C1024L-70QI 1202530098 1200908037
描述 128K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, PDSO32 128K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, PDSO32 128K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, PDSO32 128K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, PDSO32 128K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, PDSO32 128K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, PDSO32 128K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, PDSO32 128K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, PDSO32 Contrinex Inductive Sensor, M12 Housing, 6mm Operating Distance, Quasiembeddable Nano-Change (M8) Receptacle, M8 x 0.5 Mounting Threads, Female
内存宽度 8 8 8 8 8 8 8 8 - -
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1 - -
端子数量 32 32 32 32 32 32 32 32 - -
组织 128KX8 128K X 8 128K X 8 128K X 8 128K X 8 128K X 8 128K X 8 128KX8 - -
表面贴装 YES Yes Yes Yes Yes Yes Yes YES - -
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL - -
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING - -
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL - -
最大工作温度 - 70 Cel 70 Cel 70 Cel 70 Cel 70 Cel 70 Cel - - -
最小工作温度 - 0.0 Cel 0.0 Cel 0.0 Cel 0.0 Cel 0.0 Cel 0.0 Cel - - -
最大供电/工作电压 - 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V - - -
最小供电/工作电压 - 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V - - -
额定供电电压 - 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V - - -
最大存取时间 - 70 ns 70 ns 70 ns 70 ns 70 ns 70 ns - - -
加工封装描述 - 0.450 INCH, PLASTIC, SOP-32 0.450 INCH, PLASTIC, SOP-32 0.450 INCH, PLASTIC, SOP-32 0.450 INCH, PLASTIC, SOP-32 0.450 INCH, PLASTIC, SOP-32 0.450 INCH, PLASTIC, SOP-32 - - -
状态 - DISCONTINUED DISCONTINUED DISCONTINUED DISCONTINUED DISCONTINUED DISCONTINUED - - -
工艺 - CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS - - -
包装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR - - -
包装尺寸 - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE - - -
端子间距 - 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm - - -
端子涂层 - TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD - - -
包装材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - - -
存储密度 - 1.05E6 deg 1.05E6 deg 1.05E6 deg 1.05E6 deg 1.05E6 deg 1.05E6 deg - - -
操作模式 - ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS - - -
位数 - 128K 128K 128K 128K 128K 128K - - -
内存IC类型 - STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM - - -
串行并行 - PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL - - -

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