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IDT713256SL25Y8

产品描述Cache SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28
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文件大小188KB,共8页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT713256SL25Y8概述

Cache SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28

IDT713256SL25Y8规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码SOJ
包装说明SOJ,
针数28
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间25 ns
JESD-30 代码R-PDSO-J28
JESD-609代码e0
长度17.9324 mm
内存密度262144 bit
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量28
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32KX8
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.556 mm
最小待机电流2 V
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度7.5184 mm

IDT713256SL25Y8相似产品对比

IDT713256SL25Y8 IDT713256SL20Y8 IDT713256SL25Y IDT713256SL20Y IDT713256SL30Y IDT713256SL30Y8
描述 Cache SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28 Cache SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28 Cache SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28 Cache SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28 Cache SRAM, 32KX8, 30ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28 Cache SRAM, 32KX8, 30ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码 SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ
包装说明 SOJ, SOJ, 0.300 INCH, SOJ-28 0.300 INCH, SOJ-28 0.300 INCH, SOJ-28 SOJ,
针数 28 28 28 28 28 28
Reach Compliance Code compliant compliant not_compliant not_compliant not_compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 25 ns 20 ns 25 ns 20 ns 30 ns 30 ns
JESD-30 代码 R-PDSO-J28 R-PDSO-J28 R-PDSO-J28 R-PDSO-J28 R-PDSO-J28 R-PDSO-J28
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0
长度 17.9324 mm 17.9324 mm 17.9324 mm 17.9324 mm 17.9324 mm 17.9324 mm
内存密度 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit
内存集成电路类型 CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM
内存宽度 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 28 28 28 28 28 28
字数 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words
字数代码 32000 32000 32000 32000 32000 32000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8
可输出 YES YES YES YES YES YES
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 3.556 mm 3.556 mm 3.556 mm 3.556 mm 3.556 mm 3.556 mm
最小待机电流 2 V 2 V 2 V 2 V 2 V 2 V
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 J BEND J BEND J BEND J BEND J BEND J BEND
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
宽度 7.5184 mm 7.5184 mm 7.5184 mm 7.5184 mm 7.5184 mm 7.5184 mm
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