IDT713256SL20Y8概述

Cache SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28

IDT713256SL20Y8规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	SOJ
包装说明	SOJ,
针数	28
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	20 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-J28
JESD-609代码	e0
长度	17.9324 mm
内存密度	262144 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	28
字数	32768 words
字数代码	32000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	32KX8
可输出	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	3.556 mm
最小待机电流	2 V
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	7.5184 mm

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	IDT713256SL20Y8	IDT713256SL25Y	IDT713256SL25Y8	IDT713256SL20Y	IDT713256SL30Y	IDT713256SL30Y8
描述	Cache SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28	Cache SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28	Cache SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28	Cache SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28	Cache SRAM, 32KX8, 30ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28	Cache SRAM, 32KX8, 30ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ
包装说明	SOJ,	0.300 INCH, SOJ-28	SOJ,	0.300 INCH, SOJ-28	0.300 INCH, SOJ-28	SOJ,
针数	28	28	28	28	28	28
Reach Compliance Code	compliant	not_compliant	compliant	not_compliant	not_compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	20 ns	25 ns	25 ns	20 ns	30 ns	30 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-J28	R-PDSO-J28	R-PDSO-J28	R-PDSO-J28	R-PDSO-J28	R-PDSO-J28
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	17.9324 mm	17.9324 mm	17.9324 mm	17.9324 mm	17.9324 mm	17.9324 mm
内存密度	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM
内存宽度	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	28	28	28	28	28	28
字数	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words
字数代码	32000	32000	32000	32000	32000	32000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8
可输出	YES	YES	YES	YES	YES	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	3.556 mm	3.556 mm	3.556 mm	3.556 mm	3.556 mm	3.556 mm
最小待机电流	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	7.5184 mm	7.5184 mm	7.5184 mm	7.5184 mm	7.5184 mm	7.5184 mm

IDT713256SL20Y8

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