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HUF75329S3S: 产品描述42A, 55V, 0.025ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小173KB，共9页; 制造商Renesas(瑞萨电子); 官网地址https://www.renesas.com/

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HUF75329S3S概述

42A, 55V, 0.025ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB

HUF75329S3S规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Renesas(瑞萨电子)
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	42 A
最大漏极电流 (ID)	42 A
最大漏源导通电阻	0.025 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-263AB
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	94 W
最大功率耗散 (Abs)	94 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
最大关闭时间（toff）	100 ns
最大开启时间（吨）	105 ns

HUF75329S3S相似产品对比

	HUF75329S3S	HUF75329P3	HUF75329G3
描述	42A, 55V, 0.025ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB	42A, 55V, 0.025ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB	49A, 55V, 0.024ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
外壳连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	55 V	55 V	55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	42 A	42 A	42 A
最大漏极电流 (ID)	42 A	42 A	49 A
最大漏源导通电阻	0.025 Ω	0.025 Ω	0.024 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-263AB	TO-220AB	TO-247
JESD-30 代码	R-PSSO-G2	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e0	e0	e0
元件数量	1	1	1
端子数量	2	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C	175 °C	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	94 W	94 W	94 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	NO	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
厂商名称	Renesas(瑞萨电子)	-	Renesas(瑞萨电子)
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-
功耗环境最大值	94 W	94 W	-
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-
最大关闭时间（toff）	100 ns	100 ns	-
最大开启时间（吨）	105 ns	105 ns	-

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