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HUF75329P3

产品描述42A, 55V, 0.025ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小173KB,共9页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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HUF75329P3概述

42A, 55V, 0.025ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

HUF75329P3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)42 A
最大漏极电流 (ID)42 A
最大漏源导通电阻0.025 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值94 W
最大功率耗散 (Abs)94 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)100 ns
最大开启时间(吨)105 ns
Base Number Matches1

HUF75329P3相似产品对比

HUF75329P3 HUF75329S3S HUF75329G3
描述 42A, 55V, 0.025ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 42A, 55V, 0.025ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB 49A, 55V, 0.024ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 55 V 55 V 55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 42 A 42 A 42 A
最大漏极电流 (ID) 42 A 42 A 49 A
最大漏源导通电阻 0.025 Ω 0.025 Ω 0.024 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-263AB TO-247
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSSO-G2 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1
端子数量 3 2 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT SMALL OUTLINE FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 94 W 94 W 94 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO YES NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
功耗环境最大值 94 W 94 W -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
最大关闭时间(toff) 100 ns 100 ns -
最大开启时间(吨) 105 ns 105 ns -
厂商名称 - Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子)

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