42A, 55V, 0.025ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 55 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 42 A |
最大漏极电流 (ID) | 42 A |
最大漏源导通电阻 | 0.025 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-220AB |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 175 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
功耗环境最大值 | 94 W |
最大功率耗散 (Abs) | 94 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
最大关闭时间(toff) | 100 ns |
最大开启时间(吨) | 105 ns |
Base Number Matches | 1 |
HUF75329P3 | HUF75329S3S | HUF75329G3 | |
---|---|---|---|
描述 | 42A, 55V, 0.025ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | 42A, 55V, 0.025ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB | 49A, 55V, 0.024ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
外壳连接 | DRAIN | DRAIN | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 55 V | 55 V | 55 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 42 A | 42 A | 42 A |
最大漏极电流 (ID) | 42 A | 42 A | 49 A |
最大漏源导通电阻 | 0.025 Ω | 0.025 Ω | 0.024 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-220AB | TO-263AB | TO-247 |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 | R-PSSO-G2 | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
元件数量 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 2 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 175 °C | 175 °C | 175 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT | SMALL OUTLINE | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 94 W | 94 W | 94 W |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | YES | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE | GULL WING | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
功耗环境最大值 | 94 W | 94 W | - |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
最大关闭时间(toff) | 100 ns | 100 ns | - |
最大开启时间(吨) | 105 ns | 105 ns | - |
厂商名称 | - | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) |
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