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K8D6316UBM-TI070

产品描述Flash, 4MX16, 70ns, PBGA48, 6 X 9 MM, 0.80 MM PITCH, TBGA-48
产品类别存储    存储   
文件大小1MB,共48页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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K8D6316UBM-TI070概述

Flash, 4MX16, 70ns, PBGA48, 6 X 9 MM, 0.80 MM PITCH, TBGA-48

K8D6316UBM-TI070规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码BGA
包装说明VFBGA, BGA48,6X8,32
针数48
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.1.A
最长访问时间70 ns
备用内存宽度8
启动块BOTTOM
命令用户界面YES
通用闪存接口YES
数据轮询YES
JESD-30 代码R-PBGA-B48
长度9 mm
内存密度67108864 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
湿度敏感等级1
功能数量1
部门数/规模8,127
端子数量48
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织4MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码VFBGA
封装等效代码BGA48,6X8,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源3/3.3 V
编程电压2.7 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
座面最大高度1 mm
部门规模8K,64K
最大待机电流0.00003 A
最大压摆率0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
切换位YES
类型NOR TYPE
宽度6 mm
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