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K4R441869B-NCK7T

产品描述Rambus DRAM, 8MX18, CMOS, PBGA62,
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文件大小306KB,共20页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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K4R441869B-NCK7T概述

Rambus DRAM, 8MX18, CMOS, PBGA62,

K4R441869B-NCK7T规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
包装说明BGA, BGA62,12X9,40/32
Reach Compliance Codecompliant
最大时钟频率 (fCLK)711 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B62
JESD-609代码e0
内存密度150994944 bit
内存集成电路类型RAMBUS DRAM
内存宽度18
端子数量62
字数8388608 words
字数代码8000000
组织8MX18
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装等效代码BGA62,12X9,40/32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
电源1.8/2.5,2.5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期16384
表面贴装YES
技术CMOS
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM

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K4R271669B/K4R441869B
Direct RDRAM
128/144Mbit RDRAM(B-die)
256K x 16/18 bit x 32s banks
Direct RDRAM
TM
Version 1.11
October 2000
Page -1
Version 1.11 Oct. 2000

K4R441869B-NCK7T相似产品对比

K4R441869B-NCK7T K4R271669B-MCK7T K4R271669B-NCG6T K4R271669B-NCK7T K4R441869B-MCG6T K4R441869B-MCK7T K4R441869B-NCG6T K4R271669B-MCG6T
描述 Rambus DRAM, 8MX18, CMOS, PBGA62, Rambus DRAM, 8MX16, CMOS, PBGA62, Rambus DRAM, 8MX16, CMOS, PBGA62, Rambus DRAM, 8MX16, CMOS, PBGA62, Rambus DRAM, 8MX18, CMOS, PBGA62, Rambus DRAM, 8MX18, CMOS, PBGA62, Rambus DRAM, 8MX18, CMOS, PBGA62, Rambus DRAM, 8MX16, CMOS, PBGA62,
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星)
包装说明 BGA, BGA62,12X9,40/32 BGA, BGA62,12X9,40/32 BGA, BGA62,12X9,40/32 BGA, BGA62,12X9,40/32 BGA, BGA62,12X9,40/32 BGA, BGA62,12X9,40/32 BGA, BGA62,12X9,40/32 BGA, BGA62,12X9,40/32
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant
最大时钟频率 (fCLK) 711 MHz 711 MHz 600 MHz 711 MHz 600 MHz 711 MHz 600 MHz 600 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PBGA-B62 R-PBGA-B62 R-PBGA-B62 R-PBGA-B62 R-PBGA-B62 R-PBGA-B62 R-PBGA-B62 R-PBGA-B62
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 150994944 bit 134217728 bit 134217728 bit 134217728 bit 150994944 bit 150994944 bit 150994944 bit 134217728 bit
内存集成电路类型 RAMBUS DRAM RAMBUS DRAM RAMBUS DRAM RAMBUS DRAM RAMBUS DRAM RAMBUS DRAM RAMBUS DRAM RAMBUS DRAM
内存宽度 18 16 16 16 18 18 18 16
端子数量 62 62 62 62 62 62 62 62
字数 8388608 words 8388608 words 8388608 words 8388608 words 8388608 words 8388608 words 8388608 words 8388608 words
字数代码 8000000 8000000 8000000 8000000 8000000 8000000 8000000 8000000
组织 8MX18 8MX16 8MX16 8MX16 8MX18 8MX18 8MX18 8MX16
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA
封装等效代码 BGA62,12X9,40/32 BGA62,12X9,40/32 BGA62,12X9,40/32 BGA62,12X9,40/32 BGA62,12X9,40/32 BGA62,12X9,40/32 BGA62,12X9,40/32 BGA62,12X9,40/32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY
电源 1.8/2.5,2.5 V 1.8/2.5,2.5 V 1.8/2.5,2.5 V 1.8/2.5,2.5 V 1.8/2.5,2.5 V 1.8/2.5,2.5 V 1.8/2.5,2.5 V 1.8/2.5,2.5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 16384 16384 16384 16384 16384 16384 16384 16384
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
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