Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> K4R441869B-MCG6T

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K4R441869B-MCG6T: 产品描述Rambus DRAM, 8MX18, CMOS, PBGA62,; 产品类别存储存储; 文件大小306KB，共20页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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K4R441869B-MCG6T概述

Rambus DRAM, 8MX18, CMOS, PBGA62,

K4R441869B-MCG6T规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)
包装说明	BGA, BGA62,12X9,40/32
Reach Compliance Code	compliant
最大时钟频率 (fCLK)	600 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B62
JESD-609代码	e0
内存密度	150994944 bit
内存集成电路类型	RAMBUS DRAM
内存宽度	18
端子数量	62
字数	8388608 words
字数代码	8000000
组织	8MX18
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA
封装等效代码	BGA62,12X9,40/32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY
电源	1.8/2.5,2.5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	16384
反向引出线	YES
表面贴装	YES
技术	CMOS
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM

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K4R271669B/K4R441869B

Direct RDRAM

™

128/144Mbit RDRAM(B-die)

256K x 16/18 bit x 32s banks

Direct RDRAM

Version 1.11

October 2000

Page -1

Version 1.11 Oct. 2000

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描述	Rambus DRAM, 8MX18, CMOS, PBGA62,	Rambus DRAM, 8MX16, CMOS, PBGA62,	Rambus DRAM, 8MX16, CMOS, PBGA62,	Rambus DRAM, 8MX16, CMOS, PBGA62,	Rambus DRAM, 8MX18, CMOS, PBGA62,	Rambus DRAM, 8MX18, CMOS, PBGA62,	Rambus DRAM, 8MX18, CMOS, PBGA62,	Rambus DRAM, 8MX16, CMOS, PBGA62,
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)
包装说明	BGA, BGA62,12X9,40/32	BGA, BGA62,12X9,40/32	BGA, BGA62,12X9,40/32	BGA, BGA62,12X9,40/32	BGA, BGA62,12X9,40/32	BGA, BGA62,12X9,40/32	BGA, BGA62,12X9,40/32	BGA, BGA62,12X9,40/32
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
最大时钟频率 (fCLK)	600 MHz	711 MHz	600 MHz	711 MHz	711 MHz	600 MHz	711 MHz	600 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B62	R-PBGA-B62	R-PBGA-B62	R-PBGA-B62	R-PBGA-B62	R-PBGA-B62	R-PBGA-B62	R-PBGA-B62
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
内存密度	150994944 bit	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	150994944 bit	150994944 bit	150994944 bit	134217728 bit
内存集成电路类型	RAMBUS DRAM	RAMBUS DRAM	RAMBUS DRAM	RAMBUS DRAM	RAMBUS DRAM	RAMBUS DRAM	RAMBUS DRAM	RAMBUS DRAM
内存宽度	18	16	16	16	18	18	18	16
端子数量	62	62	62	62	62	62	62	62
字数	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words
字数代码	8000000	8000000	8000000	8000000	8000000	8000000	8000000	8000000
组织	8MX18	8MX16	8MX16	8MX16	8MX18	8MX18	8MX18	8MX16
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
封装等效代码	BGA62,12X9,40/32	BGA62,12X9,40/32	BGA62,12X9,40/32	BGA62,12X9,40/32	BGA62,12X9,40/32	BGA62,12X9,40/32	BGA62,12X9,40/32	BGA62,12X9,40/32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY
电源	1.8/2.5,2.5 V	1.8/2.5,2.5 V	1.8/2.5,2.5 V	1.8/2.5,2.5 V	1.8/2.5,2.5 V	1.8/2.5,2.5 V	1.8/2.5,2.5 V	1.8/2.5,2.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	16384	16384	16384	16384	16384	16384	16384	16384
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM

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