IC DUAL OP-AMP, 20000 uV OFFSET-MAX, 4 MHz BAND WIDTH, PDIP8, DIP-8, Operational Amplifier
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | National Semiconductor（TI ） |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP8,.3 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.0004 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.0004 µA |
| 最小共模抑制比 | 70 dB |
| 标称共模抑制比 | 100 dB |
| 频率补偿 | YES |
| 最大输入失调电流 (IIO) | 0.004 µA |
| 最大输入失调电压 | 20000 µV |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 长度 | 9.8171 mm |
| 低-偏置 | YES |
| 低-失调 | NO |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 负供电电压上限 | -18 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
| 功能数量 | 2 |
| 端子数量 | 8 |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP8,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 电源 | +-15 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 最小摆率 | 8 V/us |
| 标称压摆率 | 13 V/us |
| 最大压摆率 | 5.6 mA |
| 供电电压上限 | 18 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | BIPOLAR |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 标称均一增益带宽 | 4000 kHz |
| 最小电压增益 | 25000 |
| 宽度 | 7.62 mm |
| TL082CP/NOPB | TL082CM/NOPB | TL082CMX/NOPB | |
|---|---|---|---|
| 描述 | IC DUAL OP-AMP, 20000 uV OFFSET-MAX, 4 MHz BAND WIDTH, PDIP8, DIP-8, Operational Amplifier | IC DUAL OP-AMP, 4 MHz BAND WIDTH, PDSO8, LEAD FREE, SO-8, Operational Amplifier | IC DUAL OP-AMP, 20000 uV OFFSET-MAX, 4 MHz BAND WIDTH, PDSO8, SOIC-8, Operational Amplifier |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | National Semiconductor（TI ） | National Semiconductor（TI ） | National Semiconductor（TI ） |
| 零件包装代码 | DIP | SOIC | SOIC |
| 包装说明 | DIP, DIP8,.3 | SOP, SOP8,.25 | SOP, SOP8,.25 |
| 针数 | 8 | 8 | 8 |
| Reach Compliance Code | compliant | compli | compli |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.0004 µA | 0.0004 µA | 0.0004 µA |
| 标称共模抑制比 | 100 dB | 100 dB | 100 dB |
| 频率补偿 | YES | YES | YES |
| 最大输入失调电流 (IIO) | 0.004 µA | 0.004 µA | 0.004 µA |
| 最大输入失调电压 | 20000 µV | 20000 µV | 20000 µV |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码 | e3 | e3 | e3 |
| 长度 | 9.8171 mm | 4.9 mm | 4.9 mm |
| 低-偏置 | YES | YES | YES |
| 低-失调 | NO | NO | NO |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 | 1 |
| 负供电电压上限 | -18 V | -18 V | -18 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V | -15 V | -15 V |
| 功能数量 | 2 | 2 | 2 |
| 端子数量 | 8 | 8 | 8 |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP | SOP | SOP |
| 封装等效代码 | DIP8,.3 | SOP8,.25 | SOP8,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | 260 | 260 |
| 电源 | +-15 V | +-15 V | +-15 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | 1.75 mm | 1.75 mm |
| 最小摆率 | 8 V/us | 8 V/us | 8 V/us |
| 最大压摆率 | 5.6 mA | 5.6 mA | 5.6 mA |
| 供电电压上限 | 18 V | 18 V | 18 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V | 15 V | 15 V |
| 表面贴装 | NO | YES | YES |
| 技术 | BIPOLAR | BIPOLAR | BIPOLAR |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | GULL WING | GULL WING |
| 端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 | 40 | NOT SPECIFIED |
| 标称均一增益带宽 | 4000 kHz | 4000 kHz | 4000 kHz |
| 最小电压增益 | 25000 | 15000 | 15000 |
| 宽度 | 7.62 mm | 3.9 mm | 3.9 mm |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.0004 µA | - | 0.0004 µA |
| 最小共模抑制比 | 70 dB | - | 70 dB |
| 标称压摆率 | 13 V/us | - | 13 V/us |
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