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IDT7014S15JG: 产品描述Dual-Port SRAM, 4KX9, 15ns, CMOS, PQCC52, 0.75 X 0.75 MM, 0.17 MM INCH HEIGHT, GREEN, PLASTIC, LCC-52; 产品类别存储存储; 文件大小76KB，共9页; 制造商IDT (Integrated Device Technology); 标准

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IDT7014S15JG概述

Dual-Port SRAM, 4KX9, 15ns, CMOS, PQCC52, 0.75 X 0.75 MM, 0.17 MM INCH HEIGHT, GREEN, PLASTIC, LCC-52

IDT7014S15JG规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	LCC
包装说明	QCCJ, LDCC52,.8SQ
针数	52
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	15 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	S-PQCC-J52
JESD-609代码	e3
长度	19.1262 mm
内存密度	36864 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	9
湿度敏感等级	1
功能数量	1
端口数量	2
端子数量	52
字数	4096 words
字数代码	4000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	4KX9
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QCCJ
封装等效代码	LDCC52,.8SQ
封装形状	SQUARE
封装形式	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	4.57 mm
最大压摆率	0.25 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	19.1262 mm

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HIGH-SPEED

4K x 9DUAL-PORT

STATIC RAM

Features:

◆

IDT7014S

Description:

The IDT7014 is a high-speed 4K x 9 Dual-Port Static RAM designed

to be used in systems where on-chip hardware port arbitration is not

needed. This part lends itself to high-speed applications which do not rely

on BUSY signals to manage simultaneous access.

The IDT7014 provides two independent ports with separate control,

address, and I/O pins that permit independent, asynchronous access for

reads or writes to any location in memory. See functional description.

The IDT7014 utilitizes a 9-bit wide data path to allow for parity at the

user's option. This feature is especially useful in data communication

applications where it is necessary to use a parity bit for transmission/

reception error checking.

Fabricated using IDT’s high-performance technology, these Dual-

Ports typically operate on only 750mW of power at maximum access times

as fast as 12ns.

The IDT7014 is packaged in a 52-pin PLCC and a 64-pin thin quad

flatpack, (TQFP).

◆

True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous

reads of the same memory location

High-speed access

– Commercial: 12/15/20/25ns (max.)

– Industrial: 20ns (max.)

Standard-power operation

– IDT7014S

Active: 750mW (typ.)

Fully asynchronous operation from either port

TTL-compatible; single 5V (±10%) power supply

Available in 52-pin PLCC and a 64-pin TQFP

Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available

for selected speeds

Green parts available, see ordering information

Functional Block Diagram

R/W

I/O

- I/O

I/O

CONTROL

I/O

CONTROL

I/O

- I/O

- A

11L

ADDRESS

DECODER

MEMORY

ARRAY

ADDRESS

DECODER

- A

11R

2528 drw 01

APRIL 2006

DSC 2528/15

IDT7014S15JG相似产品对比

	IDT7014S15JG	IDT7014S15PFG	IDT7014S25JG	IDT7014S20JGI	IDT7014S20JG	IDT7014S20PFGI	IDT7014S20PFG	IDT7014S25PFG
描述	Dual-Port SRAM, 4KX9, 15ns, CMOS, PQCC52, 0.75 X 0.75 MM, 0.17 MM INCH HEIGHT, GREEN, PLASTIC, LCC-52	Dual-Port SRAM, 4KX9, 15ns, CMOS, PQFP64, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-64	Dual-Port SRAM, 4KX9, 25ns, CMOS, PQCC52, 0.75 X 0.75 MM, 0.17 MM INCH HEIGHT, GREEN, PLASTIC, LCC-52	Dual-Port SRAM, 4KX9, 20ns, CMOS, PQCC52, 0.75 X 0.75 MM, 0.17 MM INCH HEIGHT, GREEN, PLASTIC, LCC-52	Dual-Port SRAM, 4KX9, 20ns, CMOS, PQCC52, 0.75 X 0.75 MM, 0.17 MM INCH HEIGHT, GREEN, PLASTIC, LCC-52	Dual-Port SRAM, 4KX9, 20ns, CMOS, PQFP64, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-64	Dual-Port SRAM, 4KX9, 20ns, CMOS, PQFP64, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-64	Dual-Port SRAM, 4KX9, 25ns, CMOS, PQFP64, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-64
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	LCC	QFP	LCC	LCC	LCC	QFP	QFP	QFP
包装说明	QCCJ, LDCC52,.8SQ	LQFP, QFP64,.66SQ,32	QCCJ, LDCC52,.8SQ	QCCJ, LDCC52,.8SQ	QCCJ, LDCC52,.8SQ	LQFP, QFP64,.66SQ,32	LQFP, QFP64,.66SQ,32	LQFP, QFP64,.66SQ,32
针数	52	64	52	52	52	64	64	64
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	15 ns	15 ns	25 ns	20 ns	20 ns	20 ns	20 ns	25 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	S-PQCC-J52	S-PQFP-G64	S-PQCC-J52	S-PQCC-J52	S-PQCC-J52	S-PQFP-G64	S-PQFP-G64	S-PQFP-G64
JESD-609代码	e3	e3	e3	e3	e3	e3	e3	e3
长度	19.1262 mm	14 mm	19.1262 mm	19.1262 mm	19.1262 mm	14 mm	14 mm	14 mm
内存密度	36864 bit	36864 bit	36864 bit	36864 bit	36864 bit	36864 bit	36864 bit	36864 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	9	9	9	9	9	9	9	9
湿度敏感等级	1	3	1	1	1	3	3	3
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	2	2	2	2	2	2	2	2
端子数量	52	64	52	52	52	64	64	64
字数	4096 words	4096 words	4096 words	4096 words	4096 words	4096 words	4096 words	4096 words
字数代码	4000	4000	4000	4000	4000	4000	4000	4000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	85 °C	70 °C	85 °C	70 °C	70 °C
组织	4KX9	4KX9	4KX9	4KX9	4KX9	4KX9	4KX9	4KX9
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QCCJ	LQFP	QCCJ	QCCJ	QCCJ	LQFP	LQFP	LQFP
封装等效代码	LDCC52,.8SQ	QFP64,.66SQ,32	LDCC52,.8SQ	LDCC52,.8SQ	LDCC52,.8SQ	QFP64,.66SQ,32	QFP64,.66SQ,32	QFP64,.66SQ,32
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	CHIP CARRIER	FLATPACK, LOW PROFILE	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	260	260	260	260
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	4.57 mm	1.6 mm	4.57 mm	4.57 mm	4.57 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm
最大压摆率	0.25 mA	0.25 mA	0.24 mA	0.26 mA	0.245 mA	0.26 mA	0.245 mA	0.24 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Matte Tin (Sn) - annealed	Matte Tin (Sn) - annealed	Matte Tin (Sn) - annealed	Matte Tin (Sn) - annealed	Matte Tin (Sn) - annealed	Matte Tin (Sn) - annealed	Matte Tin (Sn) - annealed	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式	J BEND	GULL WING	J BEND	J BEND	J BEND	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	1.27 mm	0.8 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	30	30	30	30	30	30
宽度	19.1262 mm	14 mm	19.1262 mm	19.1262 mm	19.1262 mm	14 mm	14 mm	14 mm
Base Number Matches	-	1	1	1	1	1	1	-

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