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HYM7V75A801BTZG-10P: 产品描述Synchronous DRAM Module, 8MX72, 6ns, CMOS, SODIMM-144; 产品类别存储存储; 文件大小306KB，共14页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/

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HYM7V75A801BTZG-10P概述

Synchronous DRAM Module, 8MX72, 6ns, CMOS, SODIMM-144

HYM7V75A801BTZG-10P规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	MODULE
包装说明	DIMM, DIMM144,32
针数	144
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	6 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	100 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N144
内存密度	603979776 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度	72
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	144
字数	8388608 words
字数代码	8000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	8MX72
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM144,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
自我刷新	YES
最大待机电流	0.018 A
最大压摆率	1.62 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	0.8 mm
端子位置	DUAL

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8Mx72 bits

PC100 SDRAM SO DIMM

based on 8Mx8 SDRAM with LVTTL, 4 banks & 4K Refresh

HYM7V75A801B Z-Series

DESCRIPTION

The Hyundai HYM7V75A801B Z-Series are 8Mx72bits ECC Synchronous DRAM Modules. The modules are composed

of nine 8Mx8bit CMOS Synchronous DRAMs in 400mil 54pin TSOP-II package and 2Kbit EEPROM in 8pin TSSOP

package on a 144pin glass-epoxy printed circuit board. A 0.22uF and a 0.0022uF decoupling capacitors per each

SDRAM are mounted on the PCB.

The HYM7V75A801B Z-Series are Small Outline Dual In-line Memory Modules suitable for easy interchange and

addition of 64Mbytes memory. The HYM7V75A801B Z-Series are offering fully synchronous operation referenced to a

positive edge of the clock. All inputs and outputs are synchronized with the rising edge of the clock input. The data paths

are internally pipelined to achieve very high bandwidth.

FEATURES

•

PC100MHz support

•

144pin SDRAM SO DIMM

•

Serial Presence Detect with EEPROM

•

1.50” (38.10mm) Height PCB with Double Sided

components

•

Single 3.3

0.3V power supply

•

All devices pins are compatible with LVTTL interface

•

Data mask function by DQM

•

SDRAM internal banks : four banks

•

Module bank : one physical bank

•

Auto refresh and self refresh

•

4096 refresh cycles / 64ms

•

Programmable Burst Length and Burst Type

-. 1, 2, 4, 8, or Full Page for Sequential Burst

-. 1, 2, 4 or 8 for Interleave Burst

•

Programmable /CAS Latency

-. 2, 3 Clocks

ORDERING INFORMATION

PART NO.

HYM7V75A801BTZG-8

HYM7V75A801BTZG-10P

HYM7V75A801BTZG-10S

HYM7V75A801BLTZG-8

HYM7V75A801BLTZG-10P

HYM7V75A801BLTZG-10S

MAX.

FREQUENCY

125MHz

100MHz

125MHz

100MHz

Low Power

4 Banks

Normal

TSOP-II

Gold

INTERNAL

BANK

REF.

POWER

SDRAM

PACKAGE

PLATING

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hyundai Electronics does not assume

any responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev. 1.0/Jun.99

Hyundai Electronics

HYM7V75A801BTZG-10P相似产品对比

	HYM7V75A801BTZG-10P	HYM7V75A801BLTZG-8	HYM7V75A801BTZG-10S	HYM7V75A801BTZG-8	HYM7V75A801BLTZG-10P	HYM7V75A801BLTZG-10S
描述	Synchronous DRAM Module, 8MX72, 6ns, CMOS, SODIMM-144	Synchronous DRAM Module, 8MX72, 6ns, CMOS, SODIMM-144	Synchronous DRAM Module, 8MX72, 6ns, CMOS, SODIMM-144	Synchronous DRAM Module, 8MX72, 6ns, CMOS, SODIMM-144	Synchronous DRAM Module, 8MX72, 6ns, CMOS, SODIMM-144	Synchronous DRAM Module, 8MX72, 6ns, CMOS, SODIMM-144
零件包装代码	MODULE	MODULE	MODULE	MODULE	MODULE	MODULE
包装说明	DIMM, DIMM144,32	DIMM, DIMM144,32	DIMM, DIMM144,32	DIMM, DIMM144,32	DIMM, DIMM144,32	DIMM, DIMM144,32
针数	144	144	144	144	144	144
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	6 ns	6 ns	6 ns	6 ns	6 ns	6 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	100 MHz	125 MHz	100 MHz	125 MHz	100 MHz	100 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N144	R-XDMA-N144	R-XDMA-N144	R-XDMA-N144	R-XDMA-N144	R-XDMA-N144
内存密度	603979776 bit	603979776 bit	603979776 bit	603979776 bit	603979776 bit	603979776 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度	72	72	72	72	72	72
功能数量	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	144	144	144	144	144	144
字数	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words
字数代码	8000000	8000000	8000000	8000000	8000000	8000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	8MX72	8MX72	8MX72	8MX72	8MX72	8MX72
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM144,32	DIMM144,32	DIMM144,32	DIMM144,32	DIMM144,32	DIMM144,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	4096	4096	4096	4096	4096	4096
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES
最大待机电流	0.018 A	0.018 A	0.018 A	0.018 A	0.018 A	0.018 A
最大压摆率	1.62 mA	1.8 mA	1.62 mA	1.8 mA	1.62 mA	1.62 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
厂商名称	SK Hynix(海力士)	-	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)

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