Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HYM76V4M655HGT6-S

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HYM76V4M655HGT6-S: 产品描述Synchronous DRAM Module, 4MX64, 6ns, CMOS, SODIMM-168; 产品类别存储存储; 文件大小144KB，共14页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/

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HYM76V4M655HGT6-S概述

Synchronous DRAM Module, 4MX64, 6ns, CMOS, SODIMM-168

HYM76V4M655HGT6-S规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	DMA
包装说明	DIMM, DIMM144,32
针数	168
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
访问模式	SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间	6 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	100 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N168
JESD-609代码	e4
内存密度	268435456 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度	64
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	168
字数	4194304 words
字数代码	4000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	4MX64
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM144,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
座面最大高度	25.4 mm
自我刷新	YES
最大待机电流	0.008 A
最大压摆率	0.8 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Gold (Au)
端子形式	NO LEAD
端子节距	0.8 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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4M x64 bits

PC100 SDRAM SO DI

based on 4Mx16 SDRAM with LVTTL, 4 banks & 4K Refresh

HYM76V4M655HG(L)T6 Series

D E S C R IP T IO N

The Hynix HYM76V4M655HG(L)T6 Series are 4Mx64bits Synchronous DRAM Modules. The modules are composed of four

4Mx16bits CMOS Synchronous DRAMs in 400mil 54pin TSOP-II package, one 2Kbit EEPROM in 8pin TSSOP package on a 168pin

glass-epoxy printed circuit board. Two 0.33uF and one 0.1uF decoupling capacitors per each SDRAM are mounted on the PCB.

The Hynix HYM76V4M655HG(L)T6 Series are Dual In-line Memory Modules suitable for easy interchange and addition of 32Mbytes

memory. The Hyundai HYM76V4M655HG(L)T6 Series are fully synchronous operation referenced to the positive edge of the clock . All

inputs and outputs are synchronized with the rising edge of the clock input. The data paths are internally pipelined to achieve very high

bandwidth.

FEATURES

•

PC100MHz support

168pin SDRAM Unbuffered DIMM

Serial Presence Detect with EEPROM

1.00” (25.40mm) Height PCB with double sided com-

ponents

Single 3.3±0.3V power supply

- 1, 2, 4 or 8 or Full page for Sequential Burst

•

All device pins are compatible with LVTTL interface

- 1, 2, 4 or 8 for Interleave Burst

Data mask function by DQM

•

Programmable CAS Latency ; 2, 3 Clocks

•

SDRAM internal banks : four banks

Module bank : one physical bank

Auto refresh and self refresh

4096 refresh cycles / 64ms

Programmable Burst Length and Burst Type

O R D E R IN G IN F O R M A T IO N

Part No.

HYM76V4M655HGT6-8

HYM76V4M655HGT6-P

HYM76V4M655HGT6-S

HYM76V4M655HGLT6-8

HYM76V4M655HGLT6-P

HYM76V4M655HGLT6-S

Clock

Frequency

125MHz

100MHz

Internal

Bank

Ref.

Power

SDRAM

Package

Plating

Normal

4 Banks

Low Power

TSOP-II

Gold

125MHz

100MHz

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hyundai Electronics does not assume any responsibility for use of

circuits described. No patent licenses are implied.

Rev. 0.3/Apr.01

HYM76V4M655HGT6-S相似产品对比

	HYM76V4M655HGT6-S	HYM76V4M655HGLT6-8	HYM76V4M655HGT6-P	HYM76V4M655HGLT6-S	HYM76V4M655HGLT6-P
描述	Synchronous DRAM Module, 4MX64, 6ns, CMOS, SODIMM-168	Synchronous DRAM Module, 4MX64, 6ns, CMOS, SODIMM-168	Synchronous DRAM Module, 4MX64, 6ns, CMOS, SODIMM-168	Synchronous DRAM Module, 4MX64, 6ns, CMOS, SODIMM-168	Synchronous DRAM Module, 4MX64, 6ns, CMOS, SODIMM-168
零件包装代码	DMA	DMA	DMA	DMA	DMA
包装说明	DIMM, DIMM144,32	DIMM, DIMM144,32	DIMM, DIMM144,32	DIMM, DIMM144,32	DIMM, DIMM144,32
针数	168	168	168	168	168
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间	6 ns	6 ns	6 ns	6 ns	6 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	100 MHz	125 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168
内存密度	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度	64	64	64	64	64
功能数量	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1
端子数量	168	168	168	168	168
字数	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words
字数代码	4000000	4000000	4000000	4000000	4000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	4MX64	4MX64	4MX64	4MX64	4MX64
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM144,32	DIMM144,32	DIMM144,32	DIMM144,32	DIMM144,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	4096	4096	4096	4096	4096
座面最大高度	25.4 mm	25.4 mm	25.4 mm	25.4 mm	25.4 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES
最大待机电流	0.008 A	0.008 A	0.008 A	0.008 A	0.008 A
最大压摆率	0.8 mA	0.8 mA	0.8 mA	0.8 mA	0.8 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
厂商名称	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	-	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)

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