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SI9405DY-T1

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小96KB,共4页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SI9405DY-T1概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

SI9405DY-T1规格参数

参数名称属性值
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码SOT
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数8
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (ID)4.3 A
最大漏源导通电阻0.16 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型P-CHANNEL
功耗环境最大值2.5 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管元件材料SILICON
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