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MSS60,CR53-E45

产品描述Mixer Diode, Silicon, CERAMIC, CASE E45, 4 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小92KB,共2页
制造商MACOM
官网地址http://www.macom.com
标准
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MSS60,CR53-E45概述

Mixer Diode, Silicon, CERAMIC, CASE E45, 4 PIN

MSS60,CR53-E45规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称MACOM
包装说明CERAMIC, CASE E45, 4 PIN
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
配置CROSSOVER RING, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型MIXER DIODE
JESD-30 代码S-CXMW-F4
JESD-609代码e4
元件数量4
端子数量4
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状SQUARE
封装形式MICROWAVE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.1 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层GOLD
端子形式FLAT
端子位置UNSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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MSS CR Series
Silicon Schottky Crossover Quad Diodes
r
Description
The Aeroflex / Metelics MSS CR Series of Schottky crossover
quad diodes are fabricated on N-Type epitaxial substrates using
proprietary processes that yield the highest FCOs in the industry.
Barrier heights for LO power levels from 3 dBm to +17 dBm are
available..
Features
Five different barrier heights
Beam lead or packaged devices
Hi-Rel screening per MIL-PRF-19500
and MIL-PRF-38534 available
Absolute Maximum Ratings
Parameters
Reverse Voltage
Forward Current
Operation Temperature
Storage Temperature
Power Dissipation
Soldering Temperature (Packaged)
Beam Lead Pull Strength
Rated V
BR
50 mA
-65 ºC to +1 ºC
50
-65 ºC to +1 ºC
50
100 mW per junction at T
A
= 25 ºC, derate
linearly to zero at T
A
= +1 ºC
50
+ 260 ºC for 5 sec.
4 grams minimum
Rating
Beam Lead
Electrical Specifications,
T
A
= 25 ºC
V
F
C
J
TYP
C
J
MAX
R
D
TYP
R
D
MAX
Outline
Model
MSS30, CR46-B49
MSS30, CR53-B49
MSS40, CR46-B49
MSS40, CR53-B49
Test
Conditions
TYP
mV
pF
pF
280
260
470
430
I
F
= 1 mA
0.09
0.15
0.09
0.15
V
R
= 0 V
F = 1 MHz
0.125
0.250
0.125
0.250
15
10
15
10
I
F
= 5 mA
22
1
5
22
1
5
B49
B49
B49
B49
Revision Date: 05/23/05
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