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GSTU8045: 产品描述Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Metal, 2 Pin; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小49KB，共1页; 制造商Vishay(威世); 官网地址http://www.vishay.com

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GSTU8045概述

Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Metal, 2 Pin

GSTU8045规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Vishay(威世)
包装说明	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code	unknown
外壳连接	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	10 A
集电极-发射极最大电压	450 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	10
JEDEC-95代码	TO-204AA
JESD-30 代码	O-MBFM-P2
元件数量	1
端子数量	2
封装主体材料	METAL
封装形状	ROUND
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	NPN
功耗环境最大值	94 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	PIN/PEG
端子位置	BOTTOM
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	25 MHz
VCEsat-Max	0.8 V

GSTU8045相似产品对比

	GSTU8045	2N6690	2N6232	2N5552-1	2N5659	2N6689	GSTU8035
描述	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Metal, 2 Pin	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin, ISOLATED TO-61, 3 PIN	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205AA, Metal, 3 Pin	Transistor,	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-111, Metal, 3 Pin, TO-111, 3 PIN	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin, ISOLATED TO-61, 3 PIN	Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Metal, 2 Pin
包装说明	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	,	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code	unknown	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknown
外壳连接	COLLECTOR	ISOLATED	-	-	ISOLATED	ISOLATED	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	10 A	10 A	10 A	-	10 A	10 A	12 A
集电极-发射极最大电压	450 V	400 V	100 V	-	80 V	300 V	350 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	-	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	10	8	20	-	50	8	10
JEDEC-95代码	TO-204AA	-	TO-205AA	-	TO-111	-	TO-204AA
JESD-30 代码	O-MBFM-P2	O-MUPM-D3	O-MBCY-W3	-	O-MUPM-D3	O-MUPM-D3	O-MBFM-P2
元件数量	1	1	1	-	1	1	1
端子数量	2	3	3	-	3	3	2
封装主体材料	METAL	METAL	METAL	-	METAL	METAL	METAL
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	-	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	FLANGE MOUNT	POST/STUD MOUNT	CYLINDRICAL	-	POST/STUD MOUNT	POST/STUD MOUNT	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN	-	NPN	NPN	NPN
功耗环境最大值	94 W	100 W	15 W	-	-	100 W	175 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	-	NO	NO	NO
端子形式	PIN/PEG	SOLDER LUG	WIRE	-	SOLDER LUG	SOLDER LUG	PIN/PEG
端子位置	BOTTOM	UPPER	BOTTOM	-	UPPER	UPPER	BOTTOM
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	-	-	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	-	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	25 MHz	15 MHz	30 MHz	-	30 MHz	15 MHz	25 MHz
VCEsat-Max	0.8 V	1 V	1.4 V	-	-	1 V	1 V
Base Number Matches	-	1	1	1	1	1	1

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器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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