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2N6690: 产品描述Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin, ISOLATED TO-61, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小49KB，共1页; 制造商Vishay(威世); 官网地址http://www.vishay.com

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2N6690概述

Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin, ISOLATED TO-61, 3 PIN

2N6690规格参数

参数名称	属性值
零件包装代码	TO-61
包装说明	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3
针数	3
Reach Compliance Code	unknow
外壳连接	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)	10 A
集电极-发射极最大电压	400 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	8
JESD-30 代码	O-MUPM-D3
元件数量	1
端子数量	3
封装主体材料	METAL
封装形状	ROUND
封装形式	POST/STUD MOUNT
极性/信道类型	NPN
功耗环境最大值	100 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	SOLDER LUG
端子位置	UPPER
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	15 MHz
VCEsat-Max	1 V
Base Number Matches	1

2N6690相似产品对比

	2N6690	2N6232	2N5552-1	2N5659	2N6689	GSTU8035	GSTU8045
描述	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin, ISOLATED TO-61, 3 PIN	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205AA, Metal, 3 Pin	Transistor,	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-111, Metal, 3 Pin, TO-111, 3 PIN	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin, ISOLATED TO-61, 3 PIN	Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Metal, 2 Pin	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Metal, 2 Pin
包装说明	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	,	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknown	unknown
外壳连接	ISOLATED	-	-	ISOLATED	ISOLATED	COLLECTOR	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	10 A	10 A	-	10 A	10 A	12 A	10 A
集电极-发射极最大电压	400 V	100 V	-	80 V	300 V	350 V	450 V
配置	SINGLE	SINGLE	-	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	8	20	-	50	8	10	10
JESD-30 代码	O-MUPM-D3	O-MBCY-W3	-	O-MUPM-D3	O-MUPM-D3	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2
元件数量	1	1	-	1	1	1	1
端子数量	3	3	-	3	3	2	2
封装主体材料	METAL	METAL	-	METAL	METAL	METAL	METAL
封装形状	ROUND	ROUND	-	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	POST/STUD MOUNT	CYLINDRICAL	-	POST/STUD MOUNT	POST/STUD MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	NPN	NPN	-	NPN	NPN	NPN	NPN
功耗环境最大值	100 W	15 W	-	-	100 W	175 W	94 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	-	NO	NO	NO	NO
端子形式	SOLDER LUG	WIRE	-	SOLDER LUG	SOLDER LUG	PIN/PEG	PIN/PEG
端子位置	UPPER	BOTTOM	-	UPPER	UPPER	BOTTOM	BOTTOM
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	-	-	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	-	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	15 MHz	30 MHz	-	30 MHz	15 MHz	25 MHz	25 MHz
VCEsat-Max	1 V	1.4 V	-	-	1 V	1 V	0.8 V
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	-
JEDEC-95代码	-	TO-205AA	-	TO-111	-	TO-204AA	TO-204AA

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