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CBR1U-D020STR13

产品描述Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 200V V(RRM), Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小28KB,共2页
制造商Central Semiconductor
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CBR1U-D020STR13概述

Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 200V V(RRM), Silicon,

CBR1U-D020STR13规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
包装说明R-PDSO-G4
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.05 V
JESD-30 代码R-PDSO-G4
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流50 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向电流0.000005 µA
最大反向恢复时间0.05 µs
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn80Pb20)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

CBR1U-D020STR13相似产品对比

CBR1U-D020STR13 CBR1U-D010SBK CBR1U-D020SBK CBR1U-D020SBKLEADFREE CBR1U-D010SBKLEADFREE CBR1U-D020STR13LEADFREE CBR1U-D010STR13LEADFREE CBR1U-D010STR13
描述 Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 200V V(RRM), Silicon, Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 100V V(RRM), Silicon, Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 200V V(RRM), Silicon, Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 200V V(RRM), Silicon, Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 100V V(RRM), Silicon, Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 200V V(RRM), Silicon, Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 100V V(RRM), Silicon, Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 100V V(RRM), Silicon,
是否无铅 含铅 含铅 含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 符合 符合 符合 符合 不符合
厂商名称 Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor
包装说明 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
配置 BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.05 V 1.05 V 1.05 V 1.05 V 1.05 V 1.05 V 1.05 V 1.05 V
JESD-30 代码 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4
JESD-609代码 e0 e0 e0 e3 e3 e3 e3 e0
最大非重复峰值正向电流 50 A 50 A 50 A 50 A 50 A 50 A 50 A 50 A
元件数量 4 4 4 4 4 4 4 4
相数 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 4 4 4 4 4 4 4 4
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C
最大输出电流 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 260 260 260 260 NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 200 V 100 V 200 V 200 V 100 V 200 V 100 V 100 V
最大反向电流 0.000005 µA 0.000005 µA 0.000005 µA 0.000005 µA 0.000005 µA 0.000005 µA 0.000005 µA 0.000005 µA
最大反向恢复时间 0.05 µs 0.05 µs 0.05 µs 0.05 µs 0.05 µs 0.05 µs 0.05 µs 0.05 µs
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn80Pb20) Tin/Lead (Sn80Pb20) Tin/Lead (Sn80Pb20) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Tin/Lead (Sn80Pb20)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 10 10 10 10 NOT SPECIFIED
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