KM4132G271BTQ-7概述

Synchronous DRAM, 256KX32, 6ns, CMOS, PQFP100

KM4132G271BTQ-7规格参数

	KM4132G271BTQ-7	KM4132G271BQ-7
描述	Synchronous DRAM, 256KX32, 6ns, CMOS, PQFP100	Synchronous DRAM, 256KX32, 6ns, CMOS, PQFP100
是否Rohs认证	不符合	不符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)
包装说明	QFP, TQFP100,.7X.9,25	QFP, QFP100,.7X.9
Reach Compliance Code	unknown	unknown
最长访问时间	6 ns	6 ns
最大时钟频率 (fCLK)	143 MHz	143 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON
交错的突发长度	4,8	4,8
JESD-30 代码	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100
JESD-609代码	e0	e0
内存密度	8388608 bit	8388608 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	32	32
端子数量	100	100
字数	262144 words	262144 words
字数代码	256000	256000
最高工作温度	70 °C	70 °C
组织	256KX32	256KX32
输出特性	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QFP	QFP
封装等效代码	TQFP100,.7X.9,25	QFP100,.7X.9
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK	FLATPACK
电源	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	1024	1024
连续突发长度	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP
最大待机电流	0.002 A	0.002 A
最大压摆率	0.3 mA	0.3 mA
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES
技术	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.635 mm	0.635 mm
端子位置	QUAD	QUAD

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY