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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> RN2510TE85L
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RN2510TE85L

产品描述TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小284KB，共6页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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RN2510TE85L概述

TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal

RN2510TE85L规格参数

参数名称属性值
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)0.1 A
基于收集器的最大容量6 pF
集电极-发射极最大电压50 V
配置COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)120
JESD-30 代码R-PDSO-G5
元件数量2
端子数量5
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz
VCEsat-Max0.3 V

RN2510TE85L文档预览

RN2510,RN2511
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor)
RN2510,RN2511
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
and Driver Circuit Applications
Including twodevices in SMV (super mini type with 5 leads)
With built-in bias resistors
Simplify circuit design
Reduce a quantity of parts and manufacturing process
Complementary to RN1510 and RN1511
Unit: mm
Equivalent Circuit
SMV
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-3L1A
Weight: 14 mg (typ.)
Rating
−50
−50
−5
−100
300
150
−55
to150
Unit
V
V
V
mA
mW
°C
°C
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristics
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
*
T
j
T
stg
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if
the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum
ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
* Total rating
Equivalent Circuit
(top view)
1
2010-06-11
RN2510,RN2511
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Characteristics
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Input resistor
RN2510
RN2511
Symbol
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE (sat)
f
T
C
ob
R1
Test
Circuit
―
―
―
―
―
―
―
Test Condition
V
CB
=
−50V,
I
E
= 0
V
EB
=
−5V,
I
C
= 0
V
CE
=
−5V,
I
C
=
−1mA
I
C
=
−5mA,
I
B
=
−0.25mA
V
CE
=
−10V,
I
C
=
−5mA
V
CB
=
−10V,
I
E
= 0, f = 1MHz
―
Min
―
―
120
―
―
―
3.29
7
Typ.
―
―
―
−0.1
200
3
4.7
10
Max
−100
−100
400
−0.3
―
6
6.11
13
Unit
nA
nA
―
V
MHz
pF
kΩ
2
2010-06-11
RN2510,RN2511
(Q1, Q2 Common)
3
2010-06-11
RN2510,RN2511
(Q1, Q2 Common)
DC CURRENT GAIN hFE
FE
4
2010-06-11
RN2510,RN2511
Marking
Type Name
Marking
RN2510
RN2511
5
2010-06-11
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描述 TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3L1A, SMV, 5 PIN, BIP General Purpose Small Signal TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3L1A, SMV, 5 PIN, BIP General Purpose Small Signal TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3L1A, SMV, 5 PIN, BIP General Purpose Small Signal TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal
厂商名称 Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝)
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V
配置 COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 120 120 120 120 120
JESD-30 代码 R-PDSO-G5 R-PDSO-G5 R-PDSO-G5 R-PDSO-G5 R-PDSO-G5
元件数量 2 2 2 2 2
端子数量 5 5 5 5 5
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP PNP
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 250 MHz 250 MHz 250 MHz 250 MHz 250 MHz
针数 - 5 5 5 -
ECCN代码 - EAR99 EAR99 EAR99 -
其他特性 - BUILT-IN BIAS RESISTOR BUILT-IN BIAS RESISTOR BUILT-IN BIAS RESISTOR -

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