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PDTC115EMB

产品描述SMALL SIGNAL TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小699KB,共11页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
标准
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PDTC115EMB概述

SMALL SIGNAL TRANSISTOR

小信号晶体管

PDTC115EMB规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称NXP(恩智浦)
包装说明1 X 0.60 MM, 0.37 MM HEIGHT, LEADLESS, ULTRA SMALL, PLASTIC, DFN1006B-3, 3 PIN
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)0.02 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)80
JESD-30 代码R-PBCC-N3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
参考标准AEC-Q101; IEC-60134
表面贴装YES
端子面层TIN
端子形式NO LEAD
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)230 MHz
Base Number Matches1
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