Dual 2-input NAND gate
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) |
包装说明 | TSSOP, TSSOP8,.16 |
Reach Compliance Code | unknow |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码 | e0 |
负载电容(CL) | 50 pF |
逻辑集成电路类型 | NAND GATE |
最大I(ol) | 0.004 A |
端子数量 | 8 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TSSOP |
封装等效代码 | TSSOP8,.16 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
包装方法 | TAPE AND REEL |
电源 | 5 V |
Prop。Delay @ Nom-Su | 29 ns |
认证状态 | Not Qualified |
施密特触发器 | NO |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | AUTOMOTIVE |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 0.635 mm |
端子位置 | DUAL |
Base Number Matches | 1 |
74HCT2G00DP | 74HC2G00 | 74HCT2G00DC | |
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描述 | Dual 2-input NAND gate | Dual 2-input NAND gate | Dual 2-input NAND gate |
是否Rohs认证 | 不符合 | - | 符合 |
厂商名称 | Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) | - | Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) |
包装说明 | TSSOP, TSSOP8,.16 | - | TSSOP, TSSOP8,.12,20 |
Reach Compliance Code | unknow | - | unknow |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 | - | R-PDSO-G8 |
负载电容(CL) | 50 pF | - | 50 pF |
逻辑集成电路类型 | NAND GATE | - | NAND GATE |
最大I(ol) | 0.004 A | - | 0.004 A |
端子数量 | 8 | - | 8 |
最高工作温度 | 125 °C | - | 125 °C |
最低工作温度 | -40 °C | - | -40 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TSSOP | - | TSSOP |
封装等效代码 | TSSOP8,.16 | - | TSSOP8,.12,20 |
封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | - | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
包装方法 | TAPE AND REEL | - | TAPE AND REEL |
电源 | 5 V | - | 5 V |
Prop。Delay @ Nom-Su | 29 ns | - | 29 ns |
认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified |
施密特触发器 | NO | - | NO |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | - | 5 V |
表面贴装 | YES | - | YES |
技术 | CMOS | - | CMOS |
温度等级 | AUTOMOTIVE | - | AUTOMOTIVE |
端子形式 | GULL WING | - | GULL WING |
端子节距 | 0.635 mm | - | 0.5 mm |
端子位置 | DUAL | - | DUAL |
Base Number Matches | 1 | - | 1 |
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