K5A3240YBA-T370,K5A3240YBA-T370 pdf中文资料,K5A3240YBA-T370引脚图,K5A3240YBA-T370电路-Datasheet-电子工程世界

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K5A3240YBA-T370: 产品描述Memory Circuit, 2MX16, CMOS, PBGA69, 8 X 11 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TBGA-69; 产品类别存储存储; 文件大小562KB，共47页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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K5A3240YBA-T370概述

Memory Circuit, 2MX16, CMOS, PBGA69, 8 X 11 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TBGA-69

K5A3240YBA-T370规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	BGA
包装说明	TFBGA,
针数	69
Reach Compliance Code	unknown
其他特性	ALSO CONTAINS (512KX8 / 256KX16) FULL CMOS SRAM
JESD-30 代码	R-PBGA-B69
长度	11 mm
内存密度	33554432 bit
内存集成电路类型	MEMORY CIRCUIT
内存宽度	16
功能数量	1
端子数量	69
字数	2097152 words
字数代码	2000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	2MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.3 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	8 mm

K5A3240YBA-T370相似产品对比

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描述	Memory Circuit, 2MX16, CMOS, PBGA69, 8 X 11 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TBGA-69	Memory Circuit, 2MX16, CMOS, PBGA69, 8 X 11 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TBGA-69	Memory Circuit, 2MX16, CMOS, PBGA69, 8 X 11 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TBGA-69	Memory Circuit, 2MX16, CMOS, PBGA69, 8 X 11 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TBGA-69	Memory Circuit, 2MX16, CMOS, PBGA69, 8 X 11 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TBGA-69	Memory Circuit, 2MX16, CMOS, PBGA69, 8 X 11 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TBGA-69	Memory Circuit, 2MX16, CMOS, PBGA69, 8 X 11 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TBGA-69	Memory Circuit, 2MX16, CMOS, PBGA69, 8 X 11 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TBGA-69
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	TFBGA,	TFBGA,	TFBGA,	TFBGA,	TFBGA,	TFBGA,	TFBGA,	TFBGA,
针数	69	69	69	69	69	69	69	69
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
其他特性	ALSO CONTAINS (512KX8 / 256KX16) FULL CMOS SRAM	ALSO CONTAINS (512KX8 / 256KX16) FULL CMOS SRAM	ALSO CONTAINS (512KX8 / 256KX16) FULL CMOS SRAM	ALSO CONTAINS (512KX8 / 256KX16) FULL CMOS SRAM	ALSO CONTAINS (512KX8 / 256KX16) FULL CMOS SRAM	ALSO CONTAINS (512KX8 / 256KX16) FULL CMOS SRAM	ALSO CONTAINS (512KX8 / 256KX16) FULL CMOS SRAM	ALSO CONTAINS (512KX8 / 256KX16) FULL CMOS SRAM
JESD-30 代码	R-PBGA-B69	R-PBGA-B69	R-PBGA-B69	R-PBGA-B69	R-PBGA-B69	R-PBGA-B69	R-PBGA-B69	R-PBGA-B69
长度	11 mm	11 mm	11 mm	11 mm	11 mm	11 mm	11 mm	11 mm
内存密度	33554432 bit	33554432 bit	33554432 bit	33554432 bit	33554432 bit	33554432 bit	33554432 bit	33554432 bit
内存集成电路类型	MEMORY CIRCUIT	MEMORY CIRCUIT	MEMORY CIRCUIT	MEMORY CIRCUIT	MEMORY CIRCUIT	MEMORY CIRCUIT	MEMORY CIRCUIT	MEMORY CIRCUIT
内存宽度	16	16	16	16	16	16	16	16
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	69	69	69	69	69	69	69	69
字数	2097152 words	2097152 words	2097152 words	2097152 words	2097152 words	2097152 words	2097152 words	2097152 words
字数代码	2000000	2000000	2000000	2000000	2000000	2000000	2000000	2000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	2MX16	2MX16	2MX16	2MX16	2MX16	2MX16	2MX16	2MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
宽度	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm
厂商名称	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	-	-	SAMSUNG(三星)	-	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)
Base Number Matches	-	1	1	1	1	1	1	-

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