Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> CMLDM8002ABKTIN/LEAD

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CMLDM8002ABKTIN/LEAD: 产品描述Transistor; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小474KB，共2页; 制造商Central Semiconductor

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CMLDM8002ABKTIN/LEAD概述

Transistor

CMLDM8002ABKTIN/LEAD规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Central Semiconductor
Reach Compliance Code	unknown
最大漏极电流 (Abs) (ID)	0.28 A
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
极性/信道类型	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	0.35 W
表面贴装	YES

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CMLDM8002A

CMLDM8002AG*

CMLDM8002AJ

SURFACE MOUNT SILICON

DUAL P-CHANNEL

ENHANCEMENT-MODE

MOSFETS

w w w. c e n t r a l s e m i . c o m

DESCRIPTION:

These CENTRAL SEMICONDUCTOR devices are

dual chip enhancement-mode P-Channel MOSFETs,

manufactured by the P-Channel DMOS Process,

designed for high speed pulsed amplifier and driver

applications. The CMLDM8002A utilizes the USA

pinout configuration, while the CMLDM8002AJ, utilizing

the Japanese pinout configuration, is available as a

special order. These special Dual Transistor devices

offer Low rDS(on) and Low VDS(on).

MARKING CODES: CMLDM8002A:

C08

CMLDM8002AG*: CG8

CMLDM8002AJ: CJ8

FEATURES:

•

Dual Chip Device

Low rDS(on)

Low VDS(on)

Low Threshold Voltage

• Fast Switching

• Logic Level Compatible

• Small SOT-563 package

SOT-563 CASE

Device is

Halogen Free

by design

APPLICATIONS:

• Load/Power Switches

• Power Supply Converter Circuits

• Battery Powered Portable Equipment

MAXIMUM RATINGS:

(TA=25°C)

Drain-Source Voltage

Drain-Gate Voltage

Gate-Source Voltage

Continuous Drain Current

Continuous Source Current (Body Diode)

Maximum Pulsed Drain Current

Maximum Pulsed Source Current

Power Dissipation (Note 1)

Power Dissipation (Note 2)

Power Dissipation (Note 3)

Operating and Storage Junction Temperature

Thermal Resistance

SYMBOL

VDS

VDG

VGS

IDM

ISM

TJ, Tstg

280

1.5

350

300

150

-65 to +150

357

UNITS

°C

°C/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR:

(TA=25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN

MAX

IGSSF, IGSSR

VGS=20V, VDS=0

100

IDSS

ID(ON)

BVDSS

VGS(th)

VDS=50V, VGS=0

VDS=50V, VGS=0, TJ=125°C

VGS=10V, VDS=10V

VGS=0, ID=10μA

VDS=VGS, ID=250μA

1.0

500

1.0

2.5

UNITS

μA

Notes: (1) Ceramic or aluminum core PC Board with copper mounting pad area of 4.0mm

(2) FR-4 Epoxy PC Board with copper mounting pad area of 4.0mm

(3) FR-4 Epoxy PC Board with copper mounting pad area of 1.4mm

R4 (28-October 2013)

CMLDM8002ABKTIN/LEAD相似产品对比

	CMLDM8002ABKTIN/LEAD	CMLDM8002AJTRLEADFREE	CMLDM8002AJBKLEADFREE	CMLDM8002AJTR	CMLDM8002AJBKTIN/LEAD	CMLDM8002AJTRTIN/LEAD	CMLDM8002ATRTIN/LEAD	CMLDM8002ABKLEADFREE
描述	Transistor	Transistor	Transistor	Transistor	Transistor	Transistor	Transistor	Transistor
Reach Compliance Code	unknown	compliant	compliant	compliant	unknown	unknown	unknown	compliant
最大漏极电流 (Abs) (ID)	0.28 A	0.28 A	0.28 A	0.28 A	0.28 A	0.28 A	0.28 A	0.28 A
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
极性/信道类型	P-CHANNEL	P-CHANNEL	P-CHANNEL	P-CHANNEL	P-CHANNEL	P-CHANNEL	P-CHANNEL	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	0.35 W	0.35 W	0.35 W	0.35 W	0.35 W	0.35 W	0.35 W	0.35 W
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
是否Rohs认证	不符合	符合	符合	-	不符合	不符合	不符合	符合
Base Number Matches	-	1	1	1	1	1	1	-

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