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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> IDT7M4042S80CB
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IDT7M4042S80CB

产品描述SRAM Module, 256KX4, 80ns, CMOS, CDMA28
产品类别存储    存储   
文件大小155KB，共6页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT7M4042S80CB概述

SRAM Module, 256KX4, 80ns, CMOS, CDMA28

IDT7M4042S80CB规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间80 ns
其他特性TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-CDMA-T28
JESD-609代码e0
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型SRAM MODULE
内存宽度4
功能数量1
端子数量28
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织256KX4
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装等效代码DIP28,.4
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流0.122 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.32 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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IDT7M4042S80CB相似产品对比

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描述 SRAM Module, 256KX4, 80ns, CMOS, CDMA28 SRAM Module, 256KX4, 55ns, CMOS, CDMA28 SRAM Module, 256KX4, 55ns, CMOS, CDMA28 SRAM Module, 256KX4, 35ns, CMOS, CDMA28 SRAM Module, 256KX4, 35ns, CMOS, CDMA28 SRAM Module, 256KX4, 30ns, CMOS, CDMA28 SRAM Module, 256KX4, 45ns, CMOS, CDMA28 SRAM Module, 256KX4, 45ns, CMOS, CDMA28 SRAM Module, 256KX4, 65ns, CMOS, CDMA28
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 3A001.A.2.C EAR99 3A001.A.2.C EAR99 3A001.A.2.C EAR99 EAR99 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C
最长访问时间 80 ns 55 ns 55 ns 35 ns 35 ns 30 ns 45 ns 45 ns 65 ns
其他特性 TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-CDMA-T28 R-CDMA-T28 R-CDMA-T28 R-CDMA-T28 R-CDMA-T28 R-CDMA-T28 R-CDMA-T28 R-CDMA-T28 R-CDMA-T28
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit
内存集成电路类型 SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE
内存宽度 4 4 4 4 4 4 4 4 4
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 28 28 28 28 28 28 28 28 28
字数 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words
字数代码 256000 256000 256000 256000 256000 256000 256000 256000 256000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 70 °C 125 °C 70 °C 125 °C 70 °C 70 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C - -55 °C - -55 °C - - -55 °C -55 °C
组织 256KX4 256KX4 256KX4 256KX4 256KX4 256KX4 256KX4 256KX4 256KX4
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 DIP DIP DIP DIP DIP DIP DIP DIP DIP
封装等效代码 DIP28,.4 DIP28,.4 DIP28,.4 DIP28,.4 DIP28,.4 DIP28,.4 DIP28,.4 DIP28,.4 DIP28,.4
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.122 A 0.122 A 0.122 A 0.122 A 0.122 A 0.122 A 0.122 A 0.122 A 0.122 A
最小待机电流 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
最大压摆率 0.32 mA 0.32 mA 0.32 mA 0.32 mA 0.32 mA 0.32 mA 0.32 mA 0.32 mA 0.32 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY COMMERCIAL MILITARY COMMERCIAL MILITARY COMMERCIAL COMMERCIAL MILITARY MILITARY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) - - IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
筛选级别 38535Q/M;38534H;883B - 38535Q/M;38534H;883B - 38535Q/M;38534H;883B - - 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B

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