PDM41024LA20TSOITR,PDM41024LA20TSOITR pdf中文资料,PDM41024LA20TSOITR引脚图,PDM41024LA20TSOITR电路-Datasheet-电子工程世界

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PDM41024LA20TSOITR: 产品描述Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PDSO32; 产品类别存储存储; 文件大小225KB，共8页; 制造商Paradigm Technology Inc

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PDM41024LA20TSOITR概述

Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PDSO32

PDM41024LA20TSOITR规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Paradigm Technology Inc
包装说明	,
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.B
最长访问时间	20 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-J32
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	32
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	128KX8
输出特性	3-STATE
可输出	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
最小待机电流	2 V
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	J BEND
端子位置	DUAL

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