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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HM62Y8201HLTT-12
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HM62Y8201HLTT-12

产品描述2MX8 CACHE SRAM, 12ns, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44
产品类别存储    存储   
文件大小103KB，共14页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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HM62Y8201HLTT-12概述

2MX8 CACHE SRAM, 12ns, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44

HM62Y8201HLTT-12规格参数

参数名称属性值
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码TSOP2
包装说明TSOP2,
针数44
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间12 ns
JESD-30 代码R-PDSO-G44
长度18.41 mm
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量44
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织2MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.3 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
宽度10.16 mm

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HM62Y8201H Series
16M High Speed SRAM (2-Mword
×
8-bit)
ADE-203-956 (Z)
Preliminary, Rev. 0.0
Sept. 15, 1998
Description
The HM62Y8201H Series is an asynchronous high speed static RAM organized as 2-Mword
×
8-bit. It has
realized high speed access time by employing the most advanced CMOS process and high speed circuit
designing technology. It is most appropriate for the application which requires high speed, high density
memory and wide bit width configuration, such as cache and buffer memory in system. It is packaged in
44-pin plastic TSOPII.
Features
•
Single 2.5 V supply: 2.5 V
±
0.2 V
•
Access time 12 ns/15 ns (max)
•
Completely static memory
No clock or timing strobe required
•
Equal access and cycle times
•
Operating current: 150 mA/130 mA (max)
•
TTL standby current: 60 mA/50 mA (max)
•
CMOS standby current: 30 mA/10 mA (max)
: 3.0 mA /1.5 mA (max) (L-Version)
•
Data retention current: 3.0 mA /1.5 mA (max) (L-Version)
•
Data retention voltage: 2.0 V (min) (L-Version)
•
Center V
CC
and V
SS
type pinout
Ordering Information
Type No.
HM62Y8201HTT-12
HM62Y8201HTT-15
HM62Y8201HLTT-12
HM62Y8201HLTT-15
Access time
12 ns
15 ns
12 ns
15 ns
Package
400-mil 44-pin plastic TSOPII (TTP-44DE)

HM62Y8201HLTT-12相似产品对比

HM62Y8201HLTT-12 HM62Y8201HTT-12 HM62Y8201HLTT-15 HM62Y8201HTT-15
描述 2MX8 CACHE SRAM, 12ns, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44 2MX8 CACHE SRAM, 12ns, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44 2MX8 CACHE SRAM, 15ns, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44 2MX8 CACHE SRAM, 15ns, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44
零件包装代码 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2
包装说明 TSOP2, TSOP2, TSOP2, TSOP2,
针数 44 44 44 44
Reach Compliance Code unknown unknown compliant compliant
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 12 ns 12 ns 15 ns 15 ns
JESD-30 代码 R-PDSO-G44 R-PDSO-G44 R-PDSO-G44 R-PDSO-G44
长度 18.41 mm 18.41 mm 18.41 mm 18.41 mm
内存密度 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit
内存集成电路类型 CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM
内存宽度 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1
端子数量 44 44 44 44
字数 2097152 words 2097152 words 2097152 words 2097152 words
字数代码 2000000 2000000 2000000 2000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 2MX8 2MX8 2MX8 2MX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm
最大供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V
最小供电电压 (Vsup) 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V
表面贴装 YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
宽度 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm
厂商名称 Renesas(瑞萨电子) - Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子)

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